[发明专利]移除接着剂的方法与装置在审
申请号: | 201680051025.1 | 申请日: | 2016-08-17 |
公开(公告)号: | CN108139664A | 公开(公告)日: | 2018-06-08 |
发明(设计)人: | 朴一贤;赵大烨;金煐中 | 申请(专利权)人: | EO科技股份有限公司 |
主分类号: | G03F1/68 | 分类号: | G03F1/68;G03F1/66;B08B7/00 |
代理公司: | 北京世誉鑫诚专利代理事务所(普通合伙) 11368 | 代理人: | 仲伯煊 |
地址: | 韩国京畿道*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 激光束 接着剂 光罩 照射 接着剂层 薄层 激光照射部 去除装置 波长 去除 移除 监控 拍摄 | ||
揭示一种自光罩上去除光罩与薄层接着的接着剂的装置。接着剂去除装置包括:激光照射部,向形成于上述光罩与上述薄层之间的接着剂层照射激光束;控制部,控制上述激光束的波长、波形及能量密度,以便借由照射上述激光束而去除上述接着剂层;以及拍摄部,对照射上述激光束的区域进行监控。
技术领域
本发明是有关于一种为了自光罩上分离薄层而去除光罩上的接着剂的装置及方法。
背景技术
在制造半导体装置或液晶显示器等的电路图案时,在平版印刷制程中使用光罩或主光罩(reticle)等曝光用基板。然而,若如污染物等的异物附着至此种曝光用基板,则平版印刷制程的精确度会下降,为了防止异物附着,将称为薄层(Pellicle)的防尘罩安装至光罩或主光罩上。
在大型积体电路(Large Scale Integration,LSI)、超LSI等半导体器件或液晶显示板等的制造制程中,借由介隔光罩(曝光圆板,也称为主光罩)向感光层等照射光而进行图案化。此时,若在光罩附着有异物,则光会被异物吸收或因异物而弯曲。因此,产生形成的图案变形或边缘变得参差不齐而图案的尺寸、品质及外观等受损的问题。为了解决如上所述的问题,将称为薄层(Pellicle)的防尘罩安装至光罩上。
薄层包括金属制的薄层框架及配置在薄层框架的一端面的薄层膜。另外,可在薄层框架的另一端面形成有用以将薄层固定至光罩的光罩接着剂。在薄层的寿命已尽或破损的情形时,需进行更换,为此应去除上述接着剂。
以前利用硫酸或有机化学物而借由湿式去除方式去除接着剂,但在此情形时,不仅去除接着剂,而且也会使光罩一并受损,存在接着剂去除制程变得非常严苛的问题。
发明内容
发明欲解决的课题
根据实施例,提供一种借由利用激光束去除形成于光罩与薄层之间的接着剂而分离薄层的方法及装置。
解决课题的手段
在一观点中,提供一种接着剂去除装置,其是自光罩上去除将光罩与薄层接着的接着剂的装置,接着剂去除装置包括:激光照射部,向形成于光罩与薄层之间的接着剂层照射激光束;控制部,控制激光束的波长、波形及能量密度,以便借由照射激光束而去除接着剂层;以及拍摄部,对照射激光束的区域进行监控。
拍摄部可包括:照明光源,照射照明光;以及相机,对自照射激光束的区域反射的照明光进行拍摄。
接着剂去除装置可包括镜面,供照明光及激光束入射,使照明光及激光束中的任一者透射且使照明光及激光束中的另一者反射。
照明光的波长与激光束的波长不同。
拍摄部可包括滤光器,滤光器使入射至拍摄部的光出射时使与照明光的波长具有相同波长的光透射且遮断与照明光的波长具有不同波长的光。
激光束的波长可为193nm至290nm。
照明光的波长可为570nm至770nm。
接着剂去除装置可更包括辅助拍摄部,辅助拍摄部设置至激光束的行进路径的外部,对在接着剂层及光罩上散射的照明光进行拍摄。
辅助拍摄部可包括:滤光器,遮断激光束且使照明光透射;以及相机,对透射滤光器的照明光进行拍摄。
在另一观点中,提供一种接着剂去除方法,其是自光罩上去除将光罩与薄层接着的接着剂的方法,接着剂去除方法至少包括如下步骤:控制激光束的波长、波形及能量密度,以便借由照射激光束而去除接着剂层的步骤;向形成于光罩与薄层之间的接着剂层照射激光束的步骤;以及获取激光束照射的区域的拍摄图像的步骤。
接着剂去除方法可包括如下步骤:当在拍摄图像中判断为已去除接着剂层的情形时,变更激光束照射的区域的步骤。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于EO科技股份有限公司,未经EO科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201680051025.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:微笑镜
- 下一篇:用于用双重固化树脂的增材制造的双重前体树脂系统
- 同类专利
- 专利分类
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备