[发明专利]包括多个管芯的堆叠式封装(POP)结构

说明书

公开了一种堆叠式封装(POP)结构。POP结构包括第一管芯(116)、第二管芯(156)以及光成像电介质(PID)层(124)。PID层设置在第一管芯和第二管芯之间。POP结构还包括从第一管芯穿过PID层到第二管芯的第一导电路径(162、182)。第一导电路径直接延伸穿过PID层的直接在第一管芯和第二管芯之间的第一区域。POP结构还包括从第一管芯穿过PID层到第二管芯的第二导电路径(103)。第二导电路径的特定部分(113)垂直于第一导电路径，并且延伸穿过PID层的不直接在第一管芯和第二管芯之间的第二区域。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2015年7月29日提交的共同拥有的美国非临时专利申请No.14/812,476的优先权，其内容通过整体引用明确并入本文。

技术领域

本公开总体上涉及包括多个管芯的堆叠式封装(POP)结构。

背景技术

技术的进步已产生更小且更强大的计算设备。例如，存在体积小、重量轻且易于被用户携带的各种便携式个人计算设备(包括诸如移动和智能电话的无线电话、平板计算机和膝上型计算机)。这些设备可以通过无线网络来通信语音和数据分组。此外，许多这样的设备并入了附加的功能(例如，数码相机、数字摄像机、数字记录器和音频文件播放器)。而且，这样的设备可以处理可用于访问因特网的可执行指令(包括诸如网络浏览器应用的软件应用)。如此，这些设备可以包括显著的计算能力。

诸如无线电话的电子设备可以包括半导体器件中的集成电路。半导体器件可以包括第一集成电路(IC)封装和第二IC封装。第一IC封装可以包括存储器，并且第二IC封装可以包括处理器。第一IC封装和第二IC封装可以共面。金属迹线可以用于形成第一IC封装和第二IC封装之间的路径。由于增加导电路径的数目可能显著增加制造半导体器件的复杂性和成本，所以第一IC封装和第二IC封装之间的若干导电路径可能受到限制。

发明内容

本公开提供了包括第一管芯和第二管芯的堆叠式封装(POP)结构。可以在第一管芯和第二管芯之间设置光成像电介质(PID)层。POP结构可以包括从第一管芯、穿过PID层、到第二管芯的一个或多个导电路径。

在一个特定方面，堆叠式封装(POP)结构包括第一管芯、第二管芯以及光成像电介质(PID)层。PID层设置在第一管芯和第二管芯之间。POP结构还包括从第一管芯穿过PID层到第二管芯的第一导电路径。第一导电路径直接延伸穿过PID层的直接在第一管芯和第二管芯之间的第一区域。POP结构还包括从第一管芯穿过PID层到第二管芯的第二导电路径。第二导电路径的一部分垂直于第一导电路径，并且延伸穿过PID层的不直接在第一管芯和第二管芯之间的第二区域。

在另一方面，形成堆叠式封装(POP)结构的方法包括将可光成像的电介质材料沉积在嵌入有第一管芯的封装体的表面上。方法还包括将可光成像的电介质材料图案化以形成光成像电介质(PID)层。方法还包括在PID层上沉积导电材料以形成穿过PID层到第一管芯的第一导电路径和第二导电路径。方法还包括将第二管芯耦合到封装体，使得第二管芯经由第一导电路径和第二导电路径电连接到第一管芯。第一导电路径穿过PID层从第一管芯直接直接延伸到第二管芯。第二导电路径的一部分垂直于第一导电路径，并且延伸穿过PID层的不直接在第一管芯和第二管芯之间的区域。

在另一方面，用于形成堆叠式封装(POP)结构的方法包括将可光成像的电介质材料沉积在嵌入有第一管芯的封装体的表面上。方法还包括将可光成像的电介质材料图案化以形成光成像电介质(PID)层。方法进一步包括形成从第一管芯、经由PID层、到第二管芯的第一导电路径和第二导电路径。第一导电路径穿过PID层从第一管芯直接延伸到第二管芯。第二导电路径的一部分垂直于第一导电路径，并且延伸穿过PID层的不直接在第一管芯和第二管芯之间的区域。