[发明专利]包含具有长链烷基的环氧基加成体的抗蚀剂下层膜形成用组合物

权利要求书

1.一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含环氧基加成体C，所述环氧基加成体C是通过含环氧基的化合物A与环氧基加成体形成性化合物B反应而得到的，在所述化合物A和所述化合物B中的一者或两者中包含可具有支链的碳原子数为3以上的烷基，

环氧基加成体形成性化合物B为选自羧酸B1、羧酸酐B2、酚化合物B3、含羟基的化合物B4、硫醇化合物B5、氨基化合物B6及酰亚胺化合物B7中的至少1种化合物，

羧酸B1为式(2)表示的化合物，

式(2)中，R¹表示可具有支链的碳原子数为3～19的烷基，Ar¹表示可具有取代基的碳原子数为6～40的亚芳基，n5表示整数0或1，n6表示整数0，n7表示整数1，n8表示1～2的整数，

羧酸酐B2为式(3)表示的化合物，

式(3)中，Aa表示酸酐基，R²表示可具有支链的碳原子数为3～19的烷基，Ar²表示可具有取代基的碳原子数为6～40的亚芳基，n9表示整数0或1，n10表示整数0，n11表示整数1，

酚化合物B3为式(4)表示的化合物，

式(4)中，R³表示可具有支链的碳原子数为3～19的烷基，Ar³表示可具有取代基的碳原子数为6～40的亚芳基，n12表示整数1，n13表示整数1，n14表示整数1，n15表示1～3的整数，

含羟基的化合物B4为式(5)表示的化合物，

式(5)中，R⁴表示可具有支链的碳原子数为3～19的烷基，n16表示1～3的整数，n17表示整数1，

硫醇化合物B5为式(6)表示的化合物，

式(6)中，R⁵表示可具有支链的碳原子数为3～19的烷基，Ar⁴表示可具有取代基的碳原子数为6～40的亚芳基，n18、n19分别表示整数0或1，n20表示整数1，n21表示1～3的整数，

氨基化合物B6为式(7)表示的化合物，

式(7)中，Ab表示伯氨基、仲氨基或叔氨基，R⁶表示可具有支链的碳原子数为3～19的烷基，Ar⁵表示可具有取代基的碳原子数为6～40的亚芳基，n22、n23分别表示整数0或1，n24表示整数1，n25表示1～3的整数，

酰亚胺化合物B7为式(8)表示的化合物，

式(8)中，Ac表示具有活性氢的酰亚胺基，R⁷表示可具有支链的碳原子数为3～19的烷基，Ar⁶表示可具有取代基的碳原子数为6～40的亚芳基，n26、n27分别为整数0或1，n28表示整数1，n29表示整数1，

含环氧基的化合物A为具有式(1)表示的结构的化合物或具有其部分结构的聚合物，

式(1)中，P_A为包含可以具有氧原子或氮原子的脂肪族烃基、芳香族烃基或它们的组合基团的、构成化合物的部分结构或构成聚合物的单元结构，

Ep表示式1A或式1B表示的基团，

式中，虚线表示化学键，

n1表示整数1，n2及n3分别表示整数0或1，n4表示1～100的整数。

2.根据权利要求1所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，其中，环氧基加成体C是通过具有至少2个环氧基的含环氧基的化合物A与具有1个环氧基加成反应性基团的环氧基加成体形成性化合物B反应而形成的。

3.根据权利要求1或2所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，其中，还包含交联剂。

4.根据权利要求1或2所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，其中，还包含酸或产酸剂。

5.一种抗蚀剂下层膜，其形成于半导体基板上，是由权利要求1～4中任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物的固化物形成的。