[发明专利]核壳粒子、核壳粒子的制造方法及薄膜

说明书

本发明的目的在于提供一种显现高发光效率的核壳粒子、上述核壳粒子的制造方法及含有上述核壳粒子的薄膜。本发明的核壳粒子具有：含有III族元素及V族元素的核；包覆上述核表面的至少一部分的第1壳；及包覆上述第1壳的至少一部分的含有II族元素的第2壳，其中，根据X射线光电子能谱求出的相对于上述核中所含的上述III族元素的上述整个核壳粒子中所含的II族元素的摩尔比为2.7以上。

技术领域

本发明涉及一种核壳粒子及其制造方法以及含有核壳粒子的薄膜。

背景技术

作为对胶体状的半导体纳米粒子(所谓的量子点)的应用被期待的半导体微粒子，至今为止已知有II-VI族半导体微粒子和III-V族半导体微粒子等。

这些半导体微粒子的粒径为几纳米至几十纳米左右。

并且，这种纳米级的粒子根据所谓的量子尺寸效果，通常粒径越小带隙越大，显示紫外区域或近紫外区域等短波长区域中的发光。

因此，对应发挥这种半导体微粒子特有的光学特性的压电元件、电子器件、发光元件、激光等各种设备的应用正在研究开发中。

作为这种半导体纳米粒子，例如专利文献1公开有，“一种核/多壳半导体纳米晶体，其包含由III/V族化合物形成的核物质及至少两个壳物质，第1壳物质涂布有所述核物质，第2壳物质涂布有所述第1壳物质，接下来的壳物质依次涂布各自之前的壳物质，各壳物质独立地选自II/VI族、III/V族或III/VI族的化合物，所述核物质与所述第1壳物质不同，并且各壳物质与其相邻的壳的壳物质不同，所述纳米晶体表示样式-I的带偏移及波长为400nm～1600nm的荧光。”

以往技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利第5137825号公报

发明内容

发明要解决的技术课题

近年来，广泛应用量子点的同时要求进一步提高发光效率。

本发明人通过参考专利文献1等而研究核壳型的量子点的结果，明确了其发光效率未必能说很充分。

因此，鉴于上述实情，本发明的目的在于提供一种显现高发光效率的核壳粒子、上述核壳粒子的制造方法及含有上述核壳粒子的薄膜。

用于解决技术课题的手段

本发明人为了实现上述课题而进行了深入研究的结果，发现了通过将核中所含的III族元素与整个核壳粒子中所含的II族元素的摩尔比设为特定的范围，能够解决上述课题，从而完成了本发明。

即，本发明人发现了能够通过以下结构来解决上述课题。

(1)一种核壳粒子，其具有：

含有III族元素及V族元素的核；

包覆上述核表面的至少一部分的第1壳；及

包覆上述第1壳的至少一部分的含有II族元素的第2壳，其中，

根据X射线光电子能谱求出的相对于上述核中所含的上述III族元素的上述整个核壳粒子中所含的II族元素的摩尔比为2.7以上。

(2)如上述(1)所述的核壳粒子，其中，

上述摩尔比为3.0以上。

(3)如上述(1)或(2)所述的核壳粒子，其中，

上述核中所含的上述III族元素为In，上述核中所含的上述V族元素为P、N及As中的任一个。

(4)如上述(3)所述的核壳粒子，其中，