[发明专利]电介质陶瓷材料及其制造方法和复合电介质材料

权利要求书

1.一种电介质陶瓷材料，其特征在于：

由钙钛矿(ABO₃)型复合氧化物颗粒构成，

在将利用激光衍射散射法的体积频度粒度分布测定中的累积值为10％的粒径设为D10、将所述累积值为50％的粒径设为D50、将所述累积值为90％的粒径设为D90时，(D90－D10)/D50的值为1.2以下，

平均粒径D50为3～15μm，

由平均粒径D50算出的理论比表面积m²/g与利用BET法测定的BET比表面积m²/g的关系为0.5≤(BET比表面积－理论比表面积)/理论比表面积≤9.0。

2.如权利要求1所述的电介质陶瓷材料，其特征在于：

所述钙钛矿型复合氧化物颗粒的BET比表面积为0.1～1.1m²/g。

3.如权利要求1或2中任一项所述的电介质陶瓷材料，其特征在于：所述钙钛矿型复合氧化物颗粒是ABO₃型的A位元素为选自Ba、Ca、Mg和Sr中的至少1种、并且B位元素为选自Ti和Zr中的至少1种的钙钛矿型复合氧化物颗粒。

4.如权利要求1或2中任一项所述的电介质陶瓷材料，其特征在于：所述钙钛矿型复合氧化物颗粒是利用草酸盐法获得的。

5.如权利要求1或2中任一项所述的电介质陶瓷材料，其特征在于：所述钙钛矿型复合氧化物颗粒的氯含量为50质量ppm以下。

6.如权利要求1或2中任一项所述的电介质陶瓷材料，其特征在于：所述钙钛矿型复合氧化物颗粒的形状为无定形。

7.如权利要求1或2中任一项所述的电介质陶瓷材料，其特征在于：其用作复合电介质的无机填充材料。

8.一种混合电介质陶瓷材料，其特征在于：

其是通过将权利要求1～6中任一项所述的电介质陶瓷材料和由利用激光衍射散射法的体积频度粒度分布测定中的平均粒径D50小于3μm的钙钛矿(ABO₃)型复合氧化物微粒构成的电介质陶瓷材料混合而得到的。

9.如权利要求8所述的混合电介质陶瓷材料，其特征在于：

其用作复合电介质的无机填充材料。

10.一种电介质陶瓷材料的制造方法，其特征在于，包括：

第一工序，其向将草酸和作为A元素化合物的选自Ba化合物、Ca化合物、Mg化合物和Sr化合物中的至少1种化合物混合而得到的A液中添加含有选自Ti的氯化物和Zr的氯化物中的至少1种氯化物的B液，进行反应，获得含有选自Ba、Ca、Mg和Sr中的至少1种元素以及选自Ti和Zr中的至少1种元素的草酸盐；

第二工序，其以烧制温度1050～1400℃对该草酸盐进行烧制，获得烧制体；和

第三工序，其将该烧制体粉碎，获得由钙钛矿(ABO₃)型复合氧化物颗粒构成的电介质陶瓷材料，该电介质陶瓷材料在将利用激光衍射散射法的体积频度粒度分布测定中的累积值为10％的粒径设为D10、将所述累积值为50％的粒径设为D50、将所述累积值为90％的粒径设为D90时，(D90－D10)/D50的值为1.2以下，平均粒径D50为3～15μm，由平均粒径D50算出的理论比表面积m²/g与利用BET法测定的BET比表面积m²/g的关系为0.5≤(BET比表面积－理论比表面积)/理论比表面积≤9.0。

11.如权利要求10所述的电介质陶瓷材料的制造方法，其特征在于：所述A液通过使所述草酸与所述作为A元素化合物的选自Ba化合物、Ca化合物、Mg化合物和Sr化合物中的至少1种化合物在水溶剂中接触而获得。