[发明专利]有机半导体元件

权利要求书

1.一种有机半导体元件，使用了有机半导体，其特征在于，所述有机半导体被形成为单晶的薄膜，至少基于对所述有机半导体施予应变时的载流子的迁移率来进行工作，

所述有机半导体保持在载流子的迁移方向上受到规定应变的状态。

2.如权利要求1所述的有机半导体元件，所述有机半导体保持在通过在结晶轴的c轴方向上作用压缩应力，而作用规定应变的状态。

3.如权利要求2所述的有机半导体元件，具有栅电极、源电极和漏电极，所述栅电极隔着栅极绝缘膜被配置在所述有机半导体的结晶轴的a轴方向，所述源电极以及所述漏电极在所述c轴方向上被配置成位于有机半导体的两侧。

4.如权利要求1所述的有机半导体元件，基于对所述有机半导体施予作为基准的规定应变时的载流子的迁移率与对所述有机半导体施予不同于所述规定应变的应变时的载流子的迁移率来进行工作。

5.如权利要求1～4中任一项所述的有机半导体元件，所述有机半导体是4环以上的多环芳香族化合物、或至少1个不饱和五元杂环化合物与多个苯环形成的4环以上的多环化合物。

6.如权利要求1～4中任一项所述的有机半导体元件，所述有机半导体被形成为厚度为200nm以下的薄膜。

7.如权利要求1～4中任一项所述的有机半导体元件，对所述有机半导体施予的应变在压缩方向上是在10％以下范围内。

8.一种有机半导体元件，使用了有机半导体，其特征在于，所述有机半导体以4环以上的多环芳香族化合物、或至少1个不饱和五元杂环化合物与多个苯环形成的4环以上的多环化合物的单晶的薄膜的形式形成，

至少基于对所述有机半导体施予应变变化时的载流子的迁移率来进行工作，

所述有机半导体保持在载流子的迁移方向上受到规定应变的状态。

9.如权利要求8所述的有机半导体元件，所述多环芳香族化合物具有棒状分子结构。

10.如权利要求8所述的有机半导体元件，所述多环芳香族化合物具有弯曲的分子结构。

11.如权利要求8所述的有机半导体元件，所述多环化合物具有弯曲的分子结构。

12.如权利要求8～11中任一项所述的有机半导体元件，所述有机半导体被形成为厚度为200nm以下的薄膜。

13.如权利要求8～11中任一项所述的有机半导体元件，对所述有机半导体施予的应变在压缩方向上是在10％以下范围内。