[实用新型]基于黑硅的隧穿接触太阳能电池在线式制备设备

说明书

技术领域

本实用新型涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种基于黑硅的隧穿接触太阳能电池在线式制备设备。

背景技术

目前，PERC电池以及逐步推向商业化，但是PERC电池需要激光刻槽，开槽处的复合问题依然制约着晶体硅太阳电池效率的提高。基于隧穿接触的晶体硅太阳能电池很好的解决了这个问题。但是，制备过程需要湿法化学制备氧化硅薄膜，同时需要双面制备硅薄膜。制程较复杂，目前尚无对应的产业化设备。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是：克服现有技术的不足，提供一种基于黑硅的隧穿接触太阳能电池在线式制备设备，解决制程较复杂，目前尚无对应的产业化设备。

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：一种基于黑硅的隧穿接触太阳能电池在线式制备设备，包括依次经输送料道连通的进样室、黑硅制备腔室、介质膜制备腔室、掺杂膜制备腔室、透明电极制备腔室以及出样室；

各腔室上分别设置有用于对其进行抽真空的真空泵组；各腔室内分别设置有滚轮组，镂空载板可在各室之间的滚轮组上移动；镂空载板用以放置硅片，镂空的四角有四个小挂钩，镂空载板的材质为导电材质；各输送料道上分别设置有真空阀；

镂空载板带硅片进入介质膜制备腔室对硅片上下面制备钝化膜；

镂空载板带硅片进入掺杂膜制备腔室对硅片的上下面分别至少分两次进行掺杂膜的制备，制备时时间上进行错开；

镂空载板带硅片进入透明电极制备腔室对硅片上下面制备ITO薄膜。

进一步的，所述的介质膜制备腔室内的滚轮组上下方分别设置有阳极组，阳极组包括至少4块阳极板，所述阳极板宽度为16cm,长度120cm，每块阳极板连接一个射频电源，阳极板上开设有小孔，用于喷出工艺气体；

镂空载板移动至介质膜制备腔室内时做阴极，镂空载板上下两端分别距离阳极的间距为3-5cm。

进一步的，所述掺杂膜制备腔室内的滚轮组上下方分别设置有阳极组，阳极组包括至少4块阳极板，所述阳极板宽度为16cm,长度120cm，每块阳极板连接一个射频电源，阳极板上开设有小孔，用于喷出工艺气体；

镂空载板移动至掺杂膜制备腔室内时做阴极，镂空载板上下两端分别距离阳极的间距为3-5cm。

进一步的，所述透明电极制备腔室内滚轮组的上下方分别设置有ITO靶材（81）做阳极，镂空载板移动至第二壳体内时做阴极，所述镂空载板的上下分别距离ITO靶材的间距5-10cm，镂空载板在该腔体中往复运动，以实现均匀溅射。

进一步的，所述的黑硅制备腔室和介质膜制备腔室之间的输送料道上设置有第一过渡腔室，所述第一过渡腔室的进出输送料道上分别设置有真空阀；

所述的介质膜制备腔室和掺杂膜制备腔室之间的输送料道上设置有第二过渡腔室，所述第二过渡腔室的进出输送料道上分别设置有真空阀；

所述掺杂膜制备腔室和透明电极制备腔室之间的输送料道上设置有第三过渡腔室，所述第三过渡腔室的进出输送料道上分别设置有真空阀；

各过渡腔室内分别设置有可往复运动的输送载板，过渡腔室上分别设置有真空泵组。

进一步的，所述真空泵组包括真空泵以及蝶阀，所述蝶阀控制制程压强。

进一步的，所述镂空载板上镂空位置的排列为6*7，每个镂空位大小为156*156mm。

本实用新型的有益效果是：将隧穿接触晶体硅太阳电池中的湿法化学制备氧化硅，由PECVD制备氧化铝或者氧化硅薄膜替代，同时引入上下表面同时镀膜的电极结构，可以一次性将硅片两面制备介质膜。同时，掺杂硅薄膜层也在一个腔体完成。设备连接了溅射腔体，腔体也可同时进行双面溅射，大大提高了生产效率。

附图说明

下面结合附图对本实用新型进一步说明。

图1是在线式制备设备示意图；

其中，1、进样室，2、黑硅制备腔室，3、第一过渡腔室，4、介质膜制备腔室，5、第二过渡腔室，6、掺杂膜制备腔室，7、第三过渡腔室，8、透明电极制备腔室，9、出样室，41、阳极板，81、ITO靶材，12、镂空载板。

具体实施方式

现在结合具体实施例对本实用新型作进一步的说明。这些附图均为简化的示意图仅以示意方式说明本实用新型的基本结构，因此其仅显示与本实用新型有关的构成。