[实用新型]一种新型的干法刻蚀装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及微电子设备技术领域，具体为一种新型的干法刻蚀装置。

背景技术

集成电路制造领域中，干法刻蚀是一种常见的刻蚀工艺。干法刻蚀是将特定的刻蚀气体通入置于反应腔体中的晶圆表面，在特定的条件下，刻蚀气体与晶圆表面的物质发生化学反应，从而达到刻蚀的目的，但是，传统的干法刻蚀装置无法保证在晶圆表面提供均匀、稳定的刻蚀气体。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种新型的干法刻蚀装置，以解决传统的干法刻蚀装置无法保证在晶圆表面提供均匀、稳定的刻蚀气体的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种新型的干法刻蚀装置，包括引风电机、设备仓、刻蚀装置本体、反应仓、等离子体和旋转电机，所述设备仓的内部安装有旋转电机，旋转电机通过旋转轴与晶元载体啮合连接，所述晶元载体的内部安装有电热圈，所述晶元载体位于反应仓的内部，所述反应仓的顶部安装有上电极板，所述上电极板的底部安装有等离子体，所述反应仓通过出风口与第一出风管和第二出风管连接，所述第一出风管和第二出风管通过引风电机与出风管连接。

优选的，所述刻蚀装置本体通过下电极板分设成反应仓和设备仓。

优选的，所述旋转轴贯穿下电极板与晶元载体啮合连接。

优选的，所述引风电机位于刻蚀装置本体的底部。

优选的，所述晶元载体的上表面开设有安放槽。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：本实用新型，采用上电极板和下电极板对内部等离子进行牵引，对放置在晶元载体上的待腐蚀装置进行干法刻蚀，在引风电机对内部形成风压，达到牵引等离子能够加快干法刻蚀速度，在干法刻蚀的过程中电热圈工作，加快刻蚀速度，提高工作效率，旋转电机工作，带动晶元载体旋转，保证等离子均匀的铺设在待腐蚀装置上，保证待腐蚀装置的表面腐蚀均匀，稳定。

附图说明

图1为本实用新型的结构图；

图2为本实用新型的局部俯视图。

图中：1-引风电机；2-出风管；3-第一出风管；4-设备仓；5-刻蚀装置本体；6-反应仓；7-安放槽；8-电热圈；9-旋转轴；10-晶元载体；11-下电极板；12-上电极板；13-等离子体；14-旋转电机；15-出风口；16-第二出风管。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

请参阅图1-2，本实用新型提供的一种实施例：一种新型的干法刻蚀装置，包括引风电机1、设备仓4、刻蚀装置本体5、反应仓6、等离子体13和旋转电机14，设备仓4的内部安装有旋转电机14，旋转电机14通过旋转轴9与晶元载体10啮合连接，晶元载体10的内部安装有电热圈8，晶元载体10位于反应仓6的内部，反应仓6的顶部安装有上电极板12，上电极板12的底部安装有等离子体13，反应仓6通过出风口15与第一出风管3和第二出风管16连接，第一出风管3和第二出风管16通过引风电机1与出风管2连接。

刻蚀装置本体5通过下电极板11分设成反应仓6和设备仓4，分别进行管理和工作，旋转轴9贯穿下电极板11与晶元载体10啮合连接，引风电机1位于刻蚀装置本体5的底部，能够平稳的将对内部气体进行均匀抽风，晶元载体10的上表面开设有安放槽7，能够平稳的将待刻蚀的装置安放在安放槽7内部，保证刻蚀的正常平稳的进行。

具体使用方式：本实用新型，位于等离子体13上的等离子在上电极板12和下电极板11作用下牵引到位于晶元载体10上的安放槽7上的待腐蚀装置上，同时引风电机1工作，将内部刻蚀装置本体5内部的气体进行抽出，使得抽气更加均匀，旋转电机14工作，通过旋转轴9将动力传递给晶元载体10上，带动其上的待腐蚀装置旋转，达到平稳旋转的目的，电热圈8进行工作，加快干法刻蚀速率。

对于本领域技术人员而言，显然本实用新型不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本实用新型的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本实用新型。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本实用新型的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本实用新型内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。