[实用新型]CSP封装的声表面波滤波器芯片隔离槽

说明书

技术领域

本实用新型涉及CSP封装的声表面波滤波器，具体涉及一种CSP封装的声表面波滤波器芯片隔离槽。

背景技术

声表面波滤波器的基本结构是在具有压电特性的基片材料上通过半导体工艺形成交叉成对的梳状金属结构，称之为叉指换能器，在叉指换能器上施加电信号，压电材料表面产生机械振动的同时产生声表面波，这种声表面波在压电材料表面传播。

CSP(Chip Scale Package)封装，是芯片级封装的意思，此种形式的封装，具有体积小、性能好、重量轻等优点。图1是CSP封装的声表面波滤波器芯片的示意图。，CSP模塑包封的环氧树脂材料具有吸声效果，但是如图1所示，这种材料高温下有一定概率会沿着图1中的箭头方向流到芯片表面，将会严重影响声表面波在芯片表面上的传输。

实用新型内容

针对现有技术的不足，本实用新型公开了一种CSP封装的声表面波滤波器芯片隔离槽。

本实用新型的技术方案如下：

一种CSP封装的声表面波滤波器芯片隔离槽，所述隔离槽设置于所述声表面波滤波器芯片的四周；所述隔离槽包括不平行于声表面波滤波器芯片边缘的第一类倾斜线条和第二类倾斜线条；所述第一类倾斜线条与声表面波滤波器芯片边缘成钝角；所述第二类倾斜线条与声表面波滤波器芯片边缘成锐角；所述第一类倾斜线条与所述第二类倾斜线条位置交错且不重叠的排布；在靠近声表面波滤波器芯片的一侧，所述第一类倾斜线条和所述第二类倾斜线条相连接。

其进一步的技术方案为：所述第一类倾斜线条和所述第二类倾斜线条的高度为1.5～3.5μm。

其进一步的技术方案为：所述第一类倾斜线条和所述第二类倾斜线条的宽度为1～3μm。

本实用新型的有益技术效果是：

加上本实用新型所述的隔离槽结构后，在高温的条件下，大部分原本有可能流动进入芯片的环氧树脂材料会进入隔离槽，而且由于毛细效应，环氧树脂材料的绝大多数都会留在隔离槽内而不会溢出到芯片表面，从而使得声表面波可以在芯片表面无障碍传输，而不会有滤波器性能异常的现象。

附图说明

图1是CSP封装的声表面波滤波器芯片的示意图。

图2是CSP封装的声表面波滤波器芯片隔离槽的示意图。

图3是图2的局部放大图。

具体实施方式

图2是CSP封装的声表面波滤波器芯片隔离槽的示意图。图3是图2的局部放大图。如图2、图3所示，隔离槽设置于声表面波滤波器芯片的四周。隔离槽包括不平行于声表面波滤波器芯片边缘的第一类倾斜线条1和第二类倾斜线条2。第一类倾斜线条1和第二类倾斜线条2声表面波滤波器芯片边缘所成的夹角类型相反。在如图3所示的角度方向中，第一类倾斜线条1与声表面波滤波器芯片边缘成钝角，第二类倾斜线条2与声表面波滤波器芯片边缘成锐角。第一类倾斜线条1和第二类倾斜线条2的方向也可互换。

第一类倾斜线条1与第二类倾斜线条2位置交错且互相不重叠的排布。在靠近声表面波滤波器芯片的一侧，也就是隔离槽的内侧，第一类倾斜线条1和第二类倾斜线条2相连接，在远离声表面波滤波器芯片的一侧，也就是隔离槽的内外侧，第一类倾斜线条1与第二类倾斜线条2相分离，并不连接。

经多次试验可知，第一类倾斜线条和第二类倾斜线条的高度在1.5～3.5μm，其中2.5μm为最佳高度。第一类倾斜线条和第二类倾斜线条的宽度为1～3μm，其中2μm为最佳宽度。

以上所述的仅是本实用新型的优选实施方式，本实用新型不限于以上实施例。可以理解，本领域技术人员在不脱离本实用新型的精神和构思的前提下直接导出或联想到的其他改进和变化，均应认为包含在本实用新型的保护范围之内。