[实用新型]一种用于库特勒湿刻蚀1号槽添加水膜装置有效
申请号: | 201621333195.2 | 申请日: | 2016-12-06 |
公开(公告)号: | CN206312871U | 公开(公告)日: | 2017-07-07 |
发明(设计)人: | 沈杰 | 申请(专利权)人: | 百力达太阳能股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L31/18 |
代理公司: | 上海申汇专利代理有限公司31001 | 代理人: | 翁若莹 |
地址: | 314500 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 库特勒湿 刻蚀 添加 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种用于库特勒湿刻蚀1号槽(1号槽是进料槽,也是库特勒刻蚀机的第一个槽)添加水膜装置,属于湿刻蚀技术领域。
背景技术
干法刻蚀的刻蚀剂是等离子体,是利用等离子体和表面薄膜反应,形成挥发性物质,或直接轰击薄膜表面使之被腐蚀的工艺。
湿法刻蚀主要在较为平整的膜面上刻出绒面,从而增加光程,减少光的反射,刻蚀可用稀释的盐酸等,湿法刻蚀是将刻蚀材料浸泡在腐蚀液内进行腐蚀的技术。
如图1所示,现有湿法刻蚀工艺中会产生的多余刻蚀区域,而且存在因刻蚀槽内气泡炸裂刻蚀药液飞溅、槽体上方凝结的刻蚀药液液滴滴落、排风不稳定、流量异常等问题,造成扩散面被刻蚀药液破坏,使得太阳能电池的各种外观不良片、电性能失效片的产生比例大。
发明内容
本实用新型要解决的技术问题是:提供了一种避免过刻、提高光电转换效率的用于库特勒湿刻蚀1号槽添加水膜装置,解决了现有湿法刻蚀工艺中会产生的多余刻蚀区域,而且存在因刻蚀槽内气泡炸裂刻蚀药液飞溅、槽体上方凝结的刻蚀药液液滴滴落、排风不稳定、流量异常的问题。
为了解决上述技术问题,本实用新型的技术方案是提供了一种用于库特勒湿刻蚀1号槽添加水膜装置,包括纯水箱,纯水箱与管路的一端连接,管路的另一端设于库特勒湿刻蚀1号槽上,其特征在于,所述的库特勒湿刻蚀1号槽内设有水刀。
优选地,所述的管路上设有手动调节阀和气动阀。
优选地,所述的气动阀设于手动调节阀上方。
优选地,所述的库特勒湿刻蚀1号槽由多个滚轮构成,库特勒湿刻蚀1号槽内设有硅片。
本实用新型中用于库特勒湿刻蚀1号槽上加装一把水刀,用于库特勒湿刻蚀1号槽通过水刀接着机台上的纯水让片子流过1号槽时上表面覆盖一层水膜,即通过水刀的出水孔形成片子表面的水膜,为避免过刻,不仅可以去除现有湿法刻蚀工艺中产生的多余刻蚀区域,增加PN结的有效受光面积,提高光电转换效率,而且可消除因刻蚀槽内气泡炸裂刻蚀药液飞溅、槽体上方凝结的刻蚀药液液滴滴落、排风不稳定、流量异常等问题,造成扩散面被刻蚀药液破坏,最终降低太阳能电池的各种外观不良片、电性能失效片的产生比例。
附图说明
图1为现有的库特勒湿刻蚀1号槽的结构示意图;
图2为库特勒1号槽上设置水刀后的结构示意图;
图3为一种用于库特勒湿刻蚀1号槽添加水膜装置的结构示意图。
具体实施方式
为使本实用新型更明显易懂,兹以优选实施例,并配合附图作详细说明如下。
本实用新型为一种用于库特勒湿刻蚀1号槽添加水膜装置,如图2、图3所示,其包括手动调节阀6和气动阀5,手动调节阀6和气动阀5均固定在与机台上的纯水箱4连接的管路7上,气动阀5设于手动调节阀6上方。纯水箱4与管路7的一端连接,管路7的另一端设于库特勒湿刻蚀1号槽上,库特勒湿刻蚀1号槽内设有水刀3。库特勒湿刻蚀1号槽由多个滚轮1构成,库特勒湿刻蚀1号槽内设有硅片2。
如图3所示,本实用新型在槽体内部装一把水刀3,并在管路7下面安装一个气动阀5并长期打开,使纯水箱4下来的管路7连接气动阀5和手动调节阀6再连接管路7到水刀3。
本实用新型上设置一个手动调节阀6,并在管路7上方安装一个气动阀5,使气动阀5和手动调节阀6接在同一个管路7上。通过气动阀5和手动调节阀6把纯水直接引到水刀3上,这样片子流过库特勒湿刻蚀1号槽时扩散面上会形成一层水膜,提高硅片2方阻均匀性,增加PN结的有效受光面积,防止太阳能电池的各种外观不良片、电性能失效片的产生比例。
虽然本实用新型已以较佳实施例揭示如上,然其并非用以限定本实用新型,任何本领域技术人员,在不脱离本实用新型的精神和范围内,当可作些许的修改和完善,因此本实用新型的保护范围当以权利要求书所界定的为准。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造