[实用新型]一种传感器的屏蔽结构以及封装结构有效
申请号: | 201621305467.8 | 申请日: | 2016-11-30 |
公开(公告)号: | CN206457250U | 公开(公告)日: | 2017-09-01 |
发明(设计)人: | 端木鲁玉 | 申请(专利权)人: | 歌尔科技有限公司 |
主分类号: | B81B7/02 | 分类号: | B81B7/02 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人: | 李海建 |
地址: | 266100 山东省青岛*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 传感器 屏蔽 结构 以及 封装 | ||
技术领域
本实用新型涉及传感器技术领域,特别涉及一种传感器的屏蔽结构以及封装结构。
背景技术
微机电系统(MEMS,Micro-Electro-Mechanical System),也叫做微电子机械系统、微系统、微机械等,是指尺寸在几毫米甚至更小的高科技装置,其内部结构一般在微米甚至纳米量级,是一个独立的智能系统。由于其具有微型化、智能化、高度集成化和可批量生产的优点,已广泛应用于电子、医学、工业、汽车和航空航天等领域。
现有技术中,请参阅图1,图1为现有技术中其中一种屏蔽结构的结构示意图,传感器的封装一般是将MEMS传感器芯片104和ASIC芯片103贴装于基板101上,并将其封装于由基板101和外壳102围成的腔体中。由于MEMS传感器芯片104容易受到电磁、热等外部因素的干扰,因此,需要对传感器中有电磁辐射、热辐射的芯片,比如ASIC芯片103进行屏蔽,从而将其与MEMS传感器芯片104隔离开,屏蔽芯片的方式一般有两种,其中一种为导电胶屏蔽结构,如图1中所示,即在ASIC芯片103外涂覆一层导电胶,形成屏蔽罩105,从而实现对电磁和热的屏蔽,同时,为了避免导电胶流入ASIC芯片103与基板101之间造成短路,在涂覆导电胶之前还必须在ASIC芯片103与基板101之间填充绝缘胶形成绝缘层106,这种屏蔽结构中胶水的可控性较差,屏蔽效果难以保证;另一种屏蔽结构是在ASIC芯片103外罩设一金属壳107,请参阅图2,图2为现有技术中另一种传感器的屏蔽结构示意图,这种屏蔽结构工艺较为复杂,实现的难度较大,同时会增加封装的难度及成本。
因此,如何改善传感器的屏蔽结构,使其工艺简单,难度低,具有较强的可控性,便于实现,提高良品率,成为本领域技术人员亟待解决的重要技术问题。
实用新型内容
有鉴于此,本实用新型提供了一种传感器的屏蔽结构以及封装结构,以达到使其工艺简单,难度低,具有较强的可控性,便于实现,提高良品率的目的。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:
一种传感器的屏蔽结构,包括基板以及设置于所述基板上的芯片,还包括设置在所述芯片与所述基板之间的屏蔽层以及设置于所述芯片外围的导电介质镀层,所述屏蔽层与所述导电介质镀层电连接,用于使所述导电介质镀层接地。
优选地,所述屏蔽层呈环形,用于将所述芯片和所述基板之间的焊点与所述导电介质镀层隔离,所述焊点为导线焊点。
优选地,所述屏蔽层由焊球或其他导电粘接胶/胶膜围成。
优选地,所述基板上设置有与所述芯片相对的排气孔a。
优选地,所述屏蔽层包括多个绕所述芯片周向间隔布置的屏蔽块。
优选地,所述导电介质镀层为金属离子镀层。
优选地,所述导电介质镀层的材料为金、银、铜、铝、镍中的一种。
优选地,所述芯片通过导线焊球与所述基板连接。
一种传感器的封装结构,包括基板、外壳、MEMS传感器芯片以及ASIC芯片,所述基板与所述外壳围成空腔,所述MEMS传感器芯片以及所述ASIC芯片贴装在所述基板上并位于所述空腔内,且所述MEMS传感器芯片与所述ASIC芯片电连接,所述ASIC芯片与所述基板之间设置有屏蔽层,所述ASIC芯片外围设置有导电介质镀层,所述屏蔽层用于将所述ASIC芯片和所述基板之间焊点与所述导电介质镀层隔离。
从上述技术方案可以看出,本实用新型提供的传感器的屏蔽结构,包括基板、芯片、屏蔽层以及导电介质镀层,其中,芯片设置于基板上,屏蔽层设置于芯片与基板之间,导电介质镀层设置于芯片外围,屏蔽层与导电介质镀层电连接,用于使导电介质镀层接地;相对于现有技术中的导电胶屏蔽结构及金属壳屏蔽结构,本案中的屏蔽结构能够在芯片级封装加工过程中完成, 工艺简单,难度低,效率高,且镀层均匀性好,同时具有良好的可控性,不会增加传感器的高度,便于封装,成本低,良品率高。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有技术中一种传感器的屏蔽结构示意图;
图2为现有技术中另一种传感器的屏蔽结构示意图;
图3为本实用新型实施例提供的传感器的屏蔽结构的结构示意图;
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