[实用新型]一种全自动太阳能电池片抗光衰激光加工设备有效
申请号: | 201621300945.6 | 申请日: | 2016-11-30 |
公开(公告)号: | CN206225338U | 公开(公告)日: | 2017-06-06 |
发明(设计)人: | 李志刚;雷合鸿;黄海 | 申请(专利权)人: | 武汉帝尔激光科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/683;H01L31/18 |
代理公司: | 北京轻创知识产权代理有限公司11212 | 代理人: | 杨立,李蕾 |
地址: | 430223 湖北省武汉*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 全自动 太阳能电池 片抗光衰 激光 加工 设备 | ||
技术领域
本实用新型涉及电池片加工技术领域,特别涉及一种全自动太阳能电池片抗光衰激光加工设备。
背景技术
随着光伏太阳能晶硅电池片已发展为绿色新能源的主流,光伏产业已具规模化,提升晶硅电池片的发电效率和光致衰减率,已成为业界的追求的目标。晶体硅太阳能电池片由于光照下硼氧复合物的形成,导致LID现象的发生,掺硼p型电池片功率衰减可高达5%;对于目前已实现量产的p型高效电池结构-PERC(钝化发射极与背表面电池)技术,由于其效率提升源于电池片背面钝化和背反射性能的提高,硼氧复合物的存在阻碍载流子向背面迁移,极大吞噬了高效电池结构带来的功率提升,导致PERC高效结构比常规铝背场电池出现更严重的效率衰减。因此,LID问题的解决不仅是常规p型电池结构效率的保证,更是p型高效电池得以真正应用推广的关键所在。
目前,p型高效太阳能电池片光衰问题可以通过抑制光衰减的缺陷生成-硼氧复合体的方法来解决,抑制硼氧复合体的方法包括①降低氧含量②降低硼浓度③p型掺镓硅晶体(镓取代硼)④n型硅晶体(不含硼)⑤同族掺杂锗、锡和碳硅晶体⑥高温热处理,但上述方法加工效率均不理想,且处理时工艺比较复杂,不适于高效生产。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是提供一种全自动太阳能电池片抗光衰激光加工设备,有效的解决了现有技术的缺陷。
本实用新型解决上述技术问题的技术方案如下:一种全自动太阳能电池片抗光衰激光加工设备,包括加工台面、机械旋转臂总成、旋转温控吸附工作台、电池片传送模组和激光发生器模组;
上述机械旋转臂总成、旋转温控吸附工作台、电池片传送模组分别安装在加工台面上,上述旋转温控吸附工作台和电池片传送模组分布在上述机械旋转臂总成两侧,且均可在上述加工台面上水平转动;
上述旋转温控吸附工作台上端设有两组并列且对称分布的温控吸盘模组,上述机械旋转臂总成两端具有上料吸盘和冷却下料吸盘;
上述机械旋转臂总成转动过程中,上述上料吸盘和冷却下料吸盘可分别转动至其中一组上述温控吸盘模组或电池片传送模组的上方;
上述激光发生器模组通过支架安装在加工台面上,并位于另外一组上述温控吸盘模组的上方。
本实用新型的有益效果是:结构简单,使用方便,在电池片加工过程中可实现预加热及加工后的快速冷却,加工效率较高。
在上述技术方案的基础上,本实用新型还可以做如下改进。
进一步,上述加工台面下端设置有机箱,上述机箱内设有抽真空系统,上述抽真空系统分别通过管路连接每组温控吸盘模组以及上料吸盘和冷却下料吸盘。
采用上述进一步方案的有益效果是整个设备结构紧凑,使用简单、方便。
进一步,上述机械旋转臂总成包括第一旋转驱动装置和机械臂,上述第一旋转驱动装置安装在上述加工台面上,且其驱动端向上,上述机械臂水平安装在上述第一旋转驱动装置的驱动端,且上述机械臂中部与上述第一旋转驱动装置的驱动端固定连接,上述上料吸盘和冷却下料吸盘分别固定在上述机械臂的两端。
采用上述进一步方案的有益效果是机械旋转臂总成结构简单,使用方便。
进一步,上述旋转温控吸附工作台包括第二旋转驱动装置和安装板,上述第二旋转驱动装置安装在加工台面上,且其驱动端向上,上述安装板水平固定在上述第二旋转驱动装置的驱动端,且其底部的中部与上述第二旋转驱动装置的驱动端固定连接,两组上述温控吸盘模组均通过垫板并列且对称分布的安装在上述安装板上。
采用上述进一步方案的有益效果是旋转温控吸附工作台结构简单,使用方便,温控吸盘模组布局合理,便于双工位加工。
进一步,还包括设置在机箱内的水冷循环系统,上述安装板内具有水冷循环腔,上述安装板上具有分别连通水冷循环腔的进水接头和出水接头,上述水冷循环系统的输入端和输出端分别通过管路连接出水接头和进水接头。
采用上述进一步方案的有益效果是便于通过水冷循环系统对安装板进行循环水冷,使得整个旋转温控吸附工作台环境温度降低,避免出现高温引发的不安全事故。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造