[实用新型]一种适于封装的基板膜层及一种OLED器件封装结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及电子显示技术领域，具体涉及一种适于封装的基板膜层及一种OLED器件封装结构。

背景技术

现有技术中有机发光显示装置主流采用激光熔融玻璃料封装，如图1所示。通过激光光斑105的能量对玻璃料103加热，玻璃料103被加热后融化，将上基板101和下基板102粘合在一起，完成对中间材料104的封装。但是这种封装方式，有如下问题：

激光光斑105的光斑中心106部分能量较高，边缘部分能量较低，因此导致玻璃料103与光斑中心106对应的部分可能产生过熔，而与边缘对应的部分可能出现熔化不完全的情况。而玻璃料在印刷过程中，由于玻璃料材料本身特性以及印刷工艺问题，本身就会出现中间薄边缘厚的马鞍形结构。这种情况下，采用激光熔融玻璃料封装，会进一步加剧中间过熔、边缘熔化不完全的情况出现。因此，现有技术中的封装结构在封装完成时玻璃料的均匀性差，而且存在中间部分玻璃料过熔的不良情况。

实用新型内容

为此，本实用新型所要解决的是现有技术中的封装结构在封装完成时玻璃料的均匀性差，而且存在部分玻璃料过熔的不良情况。

为解决上述技术问题，本实用新型的提供如下技术方案：

本实用新型提供一种适于封装的基板膜层，包括基板以及设置于基板上的膜层，所述膜层包括沿远离所述基板方向依次设置的第一SiOx/SiNx层或SiOx和SiNx的混合层、保温膜层和第二SiOx/SiNx层，所述保温膜层存在至少一处低凹部，所述低凹部的厚度小于所述保温膜层的厚度，所述的保温膜层是能够反射激光能量的材料。

可选地，上述的适于封装的基板膜层，所述保温膜层存在一处低凹部，所述低凹部位于所述保温膜层的中心位置。

可选地，上述的适于封装的基板膜层，所述低凹部为通过刻蚀方式得到的凹槽。

可选地，上述的适于封装的基板膜层，所述凹槽内部填充SiOx/SiNx材料。

可选地，上述的适于封装的基板膜层，所述凹槽的宽度与所述保温膜层的宽度的比值在1.3至1.6之间。

可选地，上述的适于封装的基板膜层，所述保温膜层(202)为金属层。

可选地，上述的适于封装的基板膜层，所述金属层为钼材料层。

可选地，上述的适于封装的基板膜层，所述钼材料层的厚度为

可选地，上述的适于封装的基板膜层，所述钼材料层的外径为600um，内径为400um。

本实用新型还提供一种OLED器件封装结构，包括上述任一项的适于封装的基板膜层、设置于所述基板膜层上的玻璃料和设置于所述玻璃料上的盖板层。

本实用新型的上述技术方案相比现有技术具有以下优点：

(1)本实用新型所述的适于封装的基板膜层及OLED器件封装结构，其中适于封装的基板膜层及OLED器件封装结构中，膜层包括沿远离所述基板方向依次设置的第一SiOx/SiNx层或SiOx和SiNx的混合层、保温膜层和第二SiOx/SiNx层，保温膜层存在至少一处低凹部，低凹部分厚度低，保温效果较差，对应于激光能量高的部分，边缘保温膜部分与激光边缘能量低的部分相对，通过保温膜阻止激光边缘能量低的部分热量损失，尽量保证在熔融时玻璃料中心部分和边缘部分能量更均匀，避免出现中间过熔边缘熔化不完全的情况出现。

(2)本实用新型所述的适于封装的基板膜层及OLED器件封装结构，低凹部分为中心位置处的凹槽，凹槽部分与激光中心能量高的部位相对，并且在凹槽内部填充SiOx/SiNx材料，因为凹槽内填充了与被加热的第二SiOx/SiNx层相同的材料，因此在加热时凹槽内的SiOx/SiNx材料的热量与边缘保温膜对应的第二SiOx/SiNx层的热量更加均匀。

(3)本实用新型所述的适于封装的基板膜层及OLED器件封装结构，为了使保温膜层与激光光斑的能量分布相匹配，设置凹槽的宽度与所述保温膜层的宽度的比值在1.3至1.6之间，优选为该比值为1.5。采用该比例关系的保温膜层能够更好的保证玻璃料与激光光斑边缘部分相对应的位置的温度得到提升，从而提高熔融时的均匀性。

(4)本实用新型所述的适于封装的基板膜层及OLED器件封装结构，保温膜层为金属层，采用金属结构不但能够阻止边缘部分能量的损失，还能够实现对激光能量的折射、反射，从而进一步提高激光边缘部分能量的利用效率。优选地，选择钼材料作为保温膜材料，其具有非常好的导热性能，能够在激光熔融时促进边缘部分玻璃料的热量。

附图说明