[实用新型]平板探测器的边封结构有效
申请号: | 201621082346.1 | 申请日: | 2016-09-26 |
公开(公告)号: | CN206332026U | 公开(公告)日: | 2017-07-14 |
发明(设计)人: | 程丙勋;高攀;周作兴;张恒庆 | 申请(专利权)人: | 上海奕瑞光电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 上海光华专利事务所31219 | 代理人: | 罗泳文 |
地址: | 201201 上海市浦东新区张江*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 平板 探测器 结构 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种X射线平板探测器结构,特别是涉及一种平板探测器的边封结构及边封方法。
背景技术
从1995年RSNA上推出第一台平板探测器(Flat Panel Detector)设备以来,随着近年平板探测技术取得飞跃性的发展,在平板探测器的研发和生产过程中,平板探测技术可分为直接和间接两类,随着发展间接FPD逐渐占到主要市场。间接FPD的结构主要是由闪烁体或荧光体层和具有光电二极管作用的非晶硅层以及薄膜半导体阵列构成。其原理为闪烁体或荧光体层经过X射线曝光后,将X射线光子转换为可见光,而后由光电二极管作用的非晶硅层变为图像电信号,最后获得数字图像。
随着平板探测器的应用越来越广,使得市场对其的性能要求越来越高。对于闪烁体类型的平板探测器,闪烁体容易潮解,限制平板探测器在高湿度的环境使用。因为潮解后对闪烁晶体的性能大大下降甚至失去原有的功效。此外平板探测器内部的电路板也对水分较敏感,因此提高平板探测器防水性非常必要,其关键是平板探测器的边封结构及边封方法,目前人们普遍使用的方法是将探测器窗口和结构件通过橡胶圈压合密封,橡胶压合密封虽然能够防止水汽进入,但是不能防止大量水分的浸泡,此外,橡胶在X射线的照射下会加速老化,导致其密封性能下降,降低平板探测器的防水性能。
基于以上所述,提供一种能够提高平板探测器防水性能的平板探测器的边封结构实属必要。
实用新型内容
鉴于以上所述现有技术的缺点,本实用新型的目的在于提供一种平板探测器的边封结构,用于提高平板探测器的防水性能。
为实现上述目的及其他相关目的,本实用新型提供一种平板探测器的边封结构,所述边封结构包括:结构件,保护内部的平板探测器部件,所述结构件具有边封区域上表面;探测器窗口,X射线光透过,所述探测器窗口具有边封区域下表面;密封层,所述密封层结合于所述结构件的边封区域上表面以及所述探测器窗口的边封区域下表面;其中,所述结构件的边封区域上表面及所述探测器窗口的边封区域下表面形成有粗糙微结构。本实用新型通过粗糙处理,使结构件和探测器窗口表面形成一种粗糙的微结构,增大了结构件、探测器窗口和密封层的接触面积,提高密封层与结构件和探测器窗口的附着力,从而达到增强平板探测器防水性能的目的。闪烁体封装的边封结构也可以使用此种边封结构及边封方法。
作为本实用新型的平板探测器的边封结构的一种优选方案,所述结构件具有边封区域上表面及侧壁,所述探测器窗口具有边封区域下表面及侧壁,所述密封层结合于所述结构件的边封区域上表面及侧壁以及所述探测器窗口的边封区域下表面及侧壁。
作为本实用新型的平板探测器的边封结构的一种优选方案,所述结构件的边封区域上表面及侧壁及所述探测器窗口的边封区域下表面及侧壁形成有粗糙微结构。
作为本实用新型的平板探测器的边封结构的一种优选方案,所述粗糙微结构为多个凸起结构,所述凸起结构的尺寸范围为1-2微米。
作为本实用新型的平板探测器的边封结构的一种优选方案,所述粗糙微结构为多个凸起结构,所述凸起结构的尺寸范围为1.16-1.2微米。
作为本实用新型的平板探测器的边封结构的一种优选方案,所述密封层包括环氧树脂密封层、聚氨酯密封层以及硅胶层中的一种。
作为本实用新型的平板探测器的边封结构的一种优选方案,所述结构件为铝材结构件,所述探测器窗口为碳纤维板。
作为本实用新型的平板探测器的边封结构的一种优选方案,所述粗糙微结构采用磨料粒度为50um-100um的金刚石或刚玉、碳化硅等研磨处理所述结构件的表面及所述探测器窗口的表面边缘区域,获得1.2-2微米的粗糙微结构。
作为本实用新型的平板探测器的边封结构的一种优选方案,所述粗糙微结构采用25um-100um的刚玉等作为喷砂材料,喷砂处理所述结构件的表面及所述探测器窗口的表面边缘区域,获得1-1.2微米的粗糙微结构;
作为本实用新型的平板探测器的边封结构的一种优选方案,其边封结构及边封方法可以应用于闪烁体封装。
如上所述,本实用新型的平板探测器的边封结构,具有以下有益效果:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的