[实用新型]一种太阳能电池扩散死层去除装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种太阳能电池扩散死层去除装置。

背景技术

常规的化石燃料日益消耗殆尽，在所有的可持续能源中，太阳能无疑是一种最清洁、最普遍和最有潜力的替代能源。目前，在所有的太阳电池中，晶体硅太阳电池是得到大范围商业推广的太阳能电池之一，这是由于硅材料在地壳中有着极为丰富的储量，同时晶体硅太阳电池相比其他类型的太阳能电池有着优异的电学性能和机械性能，因此，晶体硅太阳电池在光伏领域占据着重要的地位。

现有的晶体硅太阳电池的制造流程为：表面清洗及织构化、扩散、清洗刻蚀去边、镀减反射膜、丝网印刷、烧结形成欧姆接触、测试。这种商业化晶体硅电池制造技术相对简单、成本较低，适合工业化、自动化生产，因而得到了广泛应用。其中，扩散是太阳电池发电的关键步骤，因此扩散结的特性好坏影响了电池的效率；当横向薄层电阻低于100欧姆时，太阳电池表面会不可避免地存在一个区域，在该区域中由于光被吸收所产生的载流子会因为寿命太短而在扩散到PN结之前就被复合，从而对电池效率没有贡献，该特殊区域被称为扩散死层。扩散死层中存在着大量的填隙原子、位错和缺陷，少子寿命较低，太阳光在死层中发出的光生载流子都被复合掉了，导致电池的转换效率下降。

目前，常常采用的去除扩散死层的方法为：1、浅结：一般把发射结深做的浅一点，0.1微米可以避免这种现象，但是这样会增大串联电阻，因为死层的存在是无法避免的，只能通过一定的工艺减少死层的产生；2、透氧化层P扩散：先形成氧化层，再进行P扩散；但该方法去死层的效果不理想；3、扩散后回刻：利用腐蚀性化学液进行回刻，去除死层；现有技术中，为了提高腐蚀速率，一般采用HF和HNO3的混合液，然而，实际应用发现，该腐蚀工艺很难控制，腐蚀均匀性很差，且成本较高，一直无法大量应用。

然而，现有技术中，在扩散后回刻方法中，扩散之后，进行刻蚀，该刻蚀的装置如图1所示，硅片在传输滚轮8’上上传输，先经过刻蚀槽1’刻蚀，刻蚀后经过第一水槽2’清洗，再经过KOH槽3’(质量浓度3-5％)，KOH槽3’是清洗刻蚀槽1’中在硅片下表面产生的多孔硅，之后经第二水槽4’清洗，再经过HF槽5’(质量浓度5-12％)，HF槽5’是清洗硅片上表面的磷硅玻璃，之后经第三水槽6’清洗，清洗完毕后经过风干槽7’吹干后下料，其中，在第一水槽2’、KOH槽3’、第二水槽4’、HF槽5’、第三水槽6’的上方均设有喷淋管9’，其仅仅能够实现刻蚀的目的，却不能去除扩散死层，因而刻蚀和去除扩散死层单独进行，增加了生产步骤，操作繁琐，成本高。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提出一种太阳能电池扩散死层去除装置，能够在刻蚀过程中同步去除扩散死层，操作简便，成本低。

为达此目的，本实用新型采用以下技术方案：

一种太阳能电池扩散死层去除装置，包括：

用于传输硅片的传输滚轮，所述传输滚轮的下方沿着硅片的传输方向依次放置有刻蚀槽、第一水槽、HF槽、第二水槽、KOH槽、第三水槽、HCL槽、第四水槽、风干槽；

加工时，硅片随所述传输滚轮传输，依次经过所述刻蚀槽、所述第一水槽、所述HF槽、所述第二水槽、所述KOH槽、所述第三水槽、所述HCL槽、所述第四水槽及所述风干槽。

其中，所述刻蚀槽、所述第一水槽及所述HF槽上的所述传输滚轮共同连接有第一齿轮箱；

所述第二水槽、所述KOH槽、所述第三水槽、所述HCL槽、所述第四水槽及所述风干槽上的所述传输滚轮共同连接有第二齿轮箱。

其中，所述第一齿轮箱与所述第二齿轮箱独立运行，且所述第二齿轮箱的转速大于所述第一齿轮箱转速。

其中，所述第一齿轮箱对应的所述传输滚轮的传输速度为1.6～2.2m/min。

其中，所述第一齿轮箱对应的所述传输滚轮的传输速度为1.8m/min。

其中，所述第二齿轮箱对应的所述传输滚轮的传输速度为2.0～2.4m/min。

其中，所述第二齿轮箱对应的所述传输滚轮的传输速度为2.2m/min。

其中，所述HF槽的长度为2.2～3.5m。

其中，所述HF槽的长度为3m。

其中，所述第一水槽、所述第二水槽、所述KOH槽、所述第三水槽、所述HCL槽和所述第四水槽的上方的所述传输滚轮的上方均设置有喷淋管；所述HF槽上的所述传输滚轮传输时浸没在所述HF槽中的HF溶液中。

本实用新型的有益效果为：