[实用新型]控制电路和同步切换电路有效
| 申请号: | 201621056801.0 | 申请日: | 2016-09-14 |
| 公开(公告)号: | CN206211963U | 公开(公告)日: | 2017-05-31 |
| 发明(设计)人: | A·奈尔斯;K·奥康诺 | 申请(专利权)人: | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号: | H03K17/567 | 分类号: | H03K17/567 |
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人: | 金晓 |
| 地址: | 美国亚*** | 国省代码: | 暂无信息 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 控制电路 同步 切换 电路 | ||
技术领域
本申请的各方面总体涉及电气电路,并且更具体地涉及控制电路和同步切换电路。
背景技术
电气电路可以包括彼此相互作用的多个子电路(例如,电气部件或电气部件组)。在一些电气电路实现中,针对一个子电路预测或者控制相对于另一个子电路的切换事件将是有利的。例如,基于一个开关的激活或者停用来激活或者停用另一个开关可以是有利的。然而,这种切换可能难以实现。
实用新型内容
本实用新型要解决的一个技术问题是提供改进的控制电路和同步切换电路。
实施例中的至少一些涉及一种控制电路,所述控制电路包括:第一晶体管,所述第一晶体管被构造为将电气负载的第一部件切换入电气电路,所述第一晶体管具有第一晶体管输入;以及第二晶体管,所述第二晶体管被构造为与所述第一晶体管同步地将所述电气负载的第二部件切换入所述电气电路,所述第二晶体管具有耦接到所述第一晶体管输入的第二晶体管输入。
在一个实施例中,所述第二晶体管输入经由齐纳二极管耦接到所述第一晶体管输入,并且其中所述齐纳二极管被构造为补偿所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述电气负载的所述第一部件和所述电气负载的所述第二部件中的至少一些当中的温度漂移。
在一个实施例中,所述第一晶体管包括p型半导体(PNP)双极结型晶体管(BJT),并且其中所述第二晶体管包括n型半导体(NPN)BJT。
在一个实施例中,当所述第二晶体管将所述电气负载的所述第二部件切换入所述电气电路时,所述第二晶体管将所述电气电路的所述电气负载的至少一部分从并联拓扑结构重新构造为串联拓扑结构。
在一个实施例中,当所述第二晶体管与所述第一晶体管同步地将所述电气负载的所述第二部件切换入所述电气电路时,所述第二晶体管与所述第一晶体管同时地或者与所述第一晶体管连续地将所述电气负载的所述第二部件切换入所述电气电路。
实施例中的至少一些涉及同步切换电路,该同步切换电路包括:p型半导体(PNP)双极结型晶体管(BJT),该PNP BJT包括:耦接到电压源的第一基极端子;耦接到电压源的第一发射极端子;以及耦接到第一负载部件的第一集电极端子;二极管,该二极管具有耦接到PNP BJT的第一基极端子的第一端子和第二端子;以及n型半导体(NPN)双极结型晶体管(BJT),该NPN BJT包括:耦接到二极管的第二端子和地电势的第二基极端子;耦接到地电势的第二发射极端子;以及耦接到第二负载部件和电压源的第二集电极端子。
在一个实施例中,二极管是齐纳二极管,其中二极管的第一端子是阴极,并且其中二极管的第二端子是阳极,以及其中第一基极端子经由耦接在第一基极端子和电压源之间的第一电阻器耦接到电压源。
在一个实施例中,第二集电极端子经由耦接在第二集电极端子和电压源之间的第二电阻器耦接到电压源。
在一个实施例中,第二基极端子经由分压器耦接到二极管的第二端子和地电势,所述分压器包括第三电阻器和第四电阻器;其中第三电阻器耦接在第二基极端子和二极管的第二端子之间,以及其中第四电阻器耦接在第二基极端子和地电势之间。
在一个实施例中,PNP BJT和NPN BJT被激活或停用以同时地或连续地控制第一负载部件和第二负载部件。
本实用新型的一个有益技术效果是提供了改进的控制电路和同步切换电路。
附图说明
在附图和以下描述中公开了用于电气电路中的多个切换事件的同步的具体系统,在附图中:
图1A是包括用于多个切换事件的同步的控制电路的电气电路的概念性框图。
图1B是用于使多个切换事件同步的控制电路的概念性示意图。
图2是用于使多个切换事件同步的控制电路的电路示意图。
图3是包括用于多个切换事件的同步的控制电路的电气电路的电路示意图。
然而,应当理解,附图及其具体描述中给定的具体实施例并不限制本公开。相反,它们为本领域技术人员提供了辨别与给定实施例中的一个或多个一起包括在所附权利要求的范围中的替换形式、等同物和修改的基础。
具体实施方式
相关申请的交叉引用
本非临时申请要求2015年9月15日提交的临时美国申请No.62/219,110的优先权,并且通过引用并入此处。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于半导体元件工业有限责任公司,未经半导体元件工业有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201621056801.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:相位差调节电路
- 下一篇:一种视频数据处理方法、装置和服务器





