[实用新型]一种非易失性存储器的数据读取装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及存储器技术领域，尤其涉及一种非易失性存储器的数据读取装置。

背景技术

随着电子设备的不断普及，人们对于高密度和低功耗的非易失性存储器的需求与日俱增。可靠性是评价存储器的一个重要指标。可靠性是指产品在规定条件下和规定时间内完成规定的功能。

数据保持力是评价非易失性存储器可靠性的重要参数。数据保持力是指非易失性存储器存储的数据经过一段时间后没有失真或丢失，仍可有效读出的能力。由于非易失性存储器具有掉电数据不丢失的特点，因此，其具有一定的数据保持力，并可通过读取操作读出其存储的数据。

对存储单元而言，浮栅中存储的电荷量决定了存储单元的阈值电压，而存储单元的阈值电压则决定了存储单元是存储数据“0”，还是存储数据“1”。但由于一些外部因素影响，会造成浮栅中存储的电荷增加，从而引起存储单元阈值电压的升高，随着时间的推移，当阈值电压升高到一定值后，存储单元中的存储的数据会发生变化，当用户下次再对该存储单元进行读操作时，会造成误读，导致非易失性存储器的可靠性降低。

实用新型内容

本实用新型提供一种非易失性存储器的数据读取装置，以减少非易失性存储器读操作过程中的误读，提高非易失性存储器数据的可靠性。

本实用新型实施例提供了一种非易失性存储器的数据读取装置，该装置包括：

读取比较器，所述读取比较器的输入端与读取参考电压和存储单元的输出端相连，用于根据接收到的读取请求，将所述存储单元的单元电压与读取参考电压进行比较，并输出读取结果；

校验比较器，所述校验比较器的输入端与校验参考电压和存储单元的输出端相连，用于将所述存储单元的单元电压与校验参考电压进行比较，并输出校验结果；其中，所述校验参考电压小于所述读取参考电压；

偏移地址记录单元，与所述读取比较器和所述校验比较器相连，用于根据读取结果和校验结果，在确定单元电压高于设定门限值时，确定所述存储单元为偏移存储单元，则记录所述偏移存储单元的偏移单元地址；

读取纠正单元，与所述偏移地址记录单元相连，用于如果接收到的读取请求命中所述偏移单元地址时，确定对所述偏移存储单元的读取结果为设定值，并抑制所述读取比较器的输出。

在上述方案中，可选的是，如果所述单元电压大于校验参考电压，且小于读取参考电压，则确定所述存储单元为偏移存储单元；

如果所述单元电压小于校验参考电压和读取参考电压，则确定所述存储单元为擦除存储单元；

如果所述单元电压大于校验参考电压和读取参考电压，则确定所述存储单元为编程存储单元。

在上述方案中，可选的是，所述设定值为“1”。

在上述方案中，可选的是，读取比较器的输入端分别与存储单元的漏极和读取参考存储单元的漏极相连，校验比较器的输入端分别与存储单元的漏极和校验参考存储单元的漏极相连，

其中，存储单元的漏极与第一电阻相连，第一电阻的另一端与电源相连，存储单元的源极接地；

读取参考单元的漏极与第二电阻相连，第二电阻的另一端与电源相连，读取参考单元的源极接地；

校验参考单元的漏极与第三电阻相连，第三电阻的另一端与电源相连，校验参考单元的源极接地。

本实用新型实施例通过在存储单元读取数据过程中，根据读取结果和校验结果，在确定单元电压高于设定门限值时，确定并记录偏移存储单元，在下次读取该存储单元时，将该存储单元的读取结果确定并输出为设定值，从而减少非易失性存储器读操作过程中的误读，提高非易失性存储器数据的可靠性。

附图说明

图1为本实用新型实施例一中的一种非易失性存储器的数据读取装置的结构示意图；

图2是本实用新型实施例三中的一种非易失性存储器的数据读取装置的读取比较器和校验比较器的结构示意图；

图3是本实用新型实施例所提供的非易失性存储器的数据读取装置的执行方法的流程示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本实用新型，而非对本实用新型的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本实用新型相关的部分而非全部结构。

实施例一