[实用新型]一种基于氧化铪缺陷调控层石墨烯铁电存储器有效
| 申请号： | 201620530138.7 | 申请日： | 2016-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN205828438U | 公开（公告）日： | 2016-12-21 |
| 发明（设计）人： | 谭秋红;王前进;刘应开;蔡武德;杨志坤 | 申请（专利权）人： | 云南师范大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 云南派特律师事务所53110 | 代理人： | 叶健 |
| 地址： | 650500 云南省昆*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 氧化 缺陷 调控 石墨 烯铁电 存储器 | ||
【说明书】：
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