[实用新型]一种具有高稳定度的超低功耗时钟电路

权利要求书

1.一种具有高稳定度的超低功耗时钟电路，包括时钟振荡电路和供电电路， 所述供电电路为时钟振荡电路供电，其特征在于：所述供电电路包括N型第一 晶体管和第二晶体管、P型第三晶体管和第一电容，所述N型第一晶体管和P型 第三晶体管串联后接在电源V_DD与地之间，所述N型第一晶体管的偏置电压加 载端接时钟振荡电路的电源输入端，所述P型第三晶体管的偏置电压加载端接 基准电压，所述电源V_DD与N型第一晶体之间接入第三基准电流，所述第一电 容与N型第一晶体管和P型第三晶体管并联，所述N型第二晶体管接在电源V_DD 与N型第一晶体管的偏置电压加载端之间，构成负反馈电路，所述N型第二晶 体管的偏置电压加载端接在第三基准电流和N型第一晶体管之间的节点。

2.根据权利要求1所述的具有高稳定度的超低功耗时钟电路，其特征在于： 所述N型第一晶体管为N型MOS管或NPN三极管。

3.根据权利要求1所述的具有高稳定度的超低功耗时钟电路，其特征在于： 所述N型第二晶体管为N型MOS管或NPN三极管。

4.根据权利要求1所述的具有高稳定度的超低功耗时钟电路，其特征在于： 所述P型第三晶体管为P型MOS管或PNP三极管。

5.根据权利要求1-4任一项所述的具有高稳定度的超低功耗时钟电路，其 特征在于：所述时钟振荡电路包括充放电电路和与充放电电路连接的迟滞电路， 所述充放电电路包括第一基准电流IBIAS1、第二基准电流IBIAS2、第二电容、 第四N型MOS管和第五P型MOS管，所述第一基准电流IBIAS1、第五P型MOS 管、第四N型MOS管和第二基准电流IBIAS2依次串联后接在N型第一晶体管的 偏置电压加载端与地之间，所述第二电容的上极板接在第四N型MOS管和第五P 型MOS管之间的节点上，所述第二电容的下极板接地，所述第四N型MOS管和 第五P型MOS管的栅极接时钟信号输出端。

6.根据权利要求1-4任一项所述的具有高稳定度的超低功耗时钟电路，其 特征在于：所述时钟振荡电路包括充放电电路和与充放电电路连接的迟滞电路， 所述充放电电路包括第一基准电流IBIAS1、电阻R1、第二电容、第四N型MOS 管和第五P型MOS管，所述第一基准电流IBIAS1、第五P型MOS管、第四N型 MOS管和电阻R1依次串联后接在N型第一晶体管的偏置电压加载端与地之间， 所述第二电容的上极板接在第四N型MOS管和第五P型MOS管之间的节点上， 所述第二电容的下极板接地，所述第四N型MOS管和第五P型MOS管的栅极接 时钟信号输出端。