[实用新型]纳米压印软模板制备装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种软模板制备装置，具体涉及一种纳米压印软模板制备装置。

背景技术

纳米压印技术，是微纳米器件制作工艺中的一个重要技术，纳米压印技术最早由StephenYChou教授在1995年率先提出，这是一种不同与传统光刻技术的全新图形转移技术。纳米压印技术的定义为：不使用光线或者辐照使光刻胶感光成形，而是直接在硅衬底或者其它衬底上利用物理学的机理构造纳米尺寸图形。

图形化蓝宝石衬底(PatternedSapphireSubstrate，PSS)，也就是在蓝宝石衬底上生长干法刻蚀用掩膜，用标准的光刻工艺将掩膜刻出图形，利用ICP刻蚀技术刻蚀蓝宝石，并去掉掩膜，再在其上生长GaN材料，使GaN材料的纵向外延变为横向外延。一方面可以有效减少GaN外延材料的位错密度，从而减小有源区的非辐射复合，减小反向漏电流，提高LED的寿命；另一方面有源区发出的光，经GaN和蓝宝石衬底界面多次散射，改变了全反射光的出射角，增加了倒装LED的光从蓝宝石衬底出射的几率，从而提高了光的提取效率。综合这两方面的原因，使PSS上生长的LED的出射光亮度比传统的LED大大提高，同时反向漏电流减小，LED的寿命也得到了延长。利用纳米压印技术取代传统的光刻显影技术制备PSS可以大大提高效率并降低成本。因此，用纳米压印技术制备PSS需要大量的压印模板。

目前的压印模板(即软模板)制备装置，容易造成液体态软模板在装置中的泄露，使得脱模时模板易粘住基座，增加了脱模时的难度。

实用新型内容

为了解决上述技术问题，本实用新型提供了一种可以防止流体态软模板泄露，从而便于脱模的纳米压印软模板制备装置。

为了达到上述目的，本实用新型的技术方案如下：

纳米压印软模板制备装置，其包括：

基座，其上开设有作为内圈的第一圆周槽，以及套于第一圆周槽外部的作为外圈的第二圆周槽；

模板，其放置于基座上并位于第一圆周槽内；

密封圈，其嵌设于第一圆周槽内且具有延伸至模板的表面的第一凸沿；

压圈，其嵌设于第二圆周槽内且具有延伸至密封圈的表面的第二凸沿，压圈由驱动单元驱动沿着垂直方向进行升降。

本实用新型通过在密封圈设置压圈，并将该压圈由驱动单元驱动沿着垂直方向进行升降，从而可以使得密封圈可以更为紧密地结合在基座和模板部上，有效地防止液体态的软模板流入到基座和密封圈的内部，防止脱模时软模板被粘住，脱模时，只需要启动驱动单元驱动压圈升起，即可完成脱模，在脱模上更为方便。

因此，本实用新型与现有技术相比，可以有效地防止流体态软模板泄露出来，从而可以更加便于脱模。

在上述技术方案的基础上，本实用新型还可以作如下改进：

作为优选的方案，上述的第一圆周槽的槽深小于第二圆周槽的槽深。

采用上述优选的方案，可以使得压圈的安装更为稳固，也可以更为紧密地压住密封圈。

作为优选的方案，上述的驱动单元包括电机和导柱，电机的输出轴连接压圈，导柱穿设于压圈内。

采用上述优选的方案，可以使得驱动单元对压圈的驱动作用更为稳定。

作为可选的方案，上述的驱动单元包括气缸和导柱，气缸的输出轴连接压圈，导柱穿设于压圈内。

采用上述优选的方案，可以使得驱动单元对压圈的驱动作用更为稳定。

作为优选的方案，上述的压圈与密封圈的接触面为齿面配合。

采用上述优选的方案，可以使得压圈更为紧密地压住密封圈。

附图说明

图1为本实用新型的纳米压印软模板制备装置的结构示意图。

图2为本实用新型的纳米压印软模板制备装置在放入软模板后的结构示意图。

图3为本实用新型的纳米压印软模板制备装置中的压圈和密封圈的齿面配合示意图。

其中，1.基座11.第一圆周槽12.第二圆周槽2.模板3.密封圈31.第一凸沿4.压圈41.第二凸沿42.驱动单元43.导柱5.软模板。

具体实施方式

下面结合附图详细说明本实用新型的优选实施方式。