[实用新型]一种有机发光显示面板、显示装置有效
申请号: | 201620010197.1 | 申请日: | 2016-01-05 |
公开(公告)号: | CN205248279U | 公开(公告)日: | 2016-05-18 |
发明(设计)人: | 钟杰兴 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 有机 发光 显示 面板 显示装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及显示技术领域,尤其涉及一种有机发光显示面板、显示装 置。
背景技术
现有技术为了解决有源矩阵有机发光二极管(ActiveMatrixOrganicLight EmittingDiode,AMOLED)高分辨率布局困难问题,将两像素发光区同时以 一个蒸镀掩膜板开孔蒸镀完成,这种方式在子像素渲染技术中通常会造成像素 排布不均匀,进而造成彩边与条纹现象,如图1所示。
现有技术针对此现象的改进方式是贴附扩散片,如图2所示,现有技术的 有机发光显示面板包括衬底20、位于衬底20上由蒸镀掩膜板形成的多个像素 21,每个像素21中设置有有机发光二极管22,以及设置在有机发光二极管22 上,对有机发光二极管22进行封装的封装盖板23。为了改善彩边与条纹现象, 在封装盖板23上贴附一扩散片24。
现有技术通过在封装盖板外侧贴附扩散片,虽然能够改善彩边与条纹现 象,但会引起图形边缘过度模糊化与增加有机发光显示面板模组厚度等问题。
实用新型内容
本实用新型实施例提供了一种有机发光显示面板、显示装置,用以在改善 彩边与条纹现象时,改善图形边缘过度模糊化的影响。
本实用新型实施例提供的一种有机发光显示面板,包括衬底、位于所述衬 底上通过蒸镀掩膜板形成的多个像素,每个所述像素中设置有有机发光二极 管,其中,还包括:
位于各所述有机发光二极管上的薄膜封装层、位于所述薄膜封装层上方的 柔性阻挡层;以及
位于所述柔性阻挡层和所述有机发光二极管之间的至少一层光扩散层。
由本实用新型实施例提供的有机发光显示面板,由于该有机发光显示面板 包括位于各有机发光二极管上的薄膜封装层、位于薄膜封装层上方的柔性阻挡 层;位于柔性阻挡层和有机发光二极管之间的至少一层光扩散层。由于本实用 新型实施例将光扩散层设置在柔性阻挡层和有机发光二极管之间,与现有技术 在封装盖板的外侧贴附扩散片相比,本实用新型实施例中的光扩散层距离发光 区较近,且可调整光扩散层距离发光区远近与光扩散层调整雾度进行优化,能 够在改善彩边与条纹现象时,有效的改善图形边缘过度模糊化的影响。
较佳地,所述光扩散层位于所述薄膜封装层和所述柔性阻挡层之间;和/ 或位于所述有机发光二极管和所述薄膜封装层之间。
较佳地,还包括位于所述柔性阻挡层上的光扩散层。
较佳地,所述薄膜封装层为多层叠层设置的膜层,所述光扩散层位于任意 两个相邻的所述膜层之间;或位于多个相邻的所述膜层之间。
较佳地,所述多层叠层设置的膜层中,各膜层为有机膜层,或为无机膜层, 或为交替设置的有机层和无机层。
较佳地,各所述有机发光二极管上位于同一层的所述光扩散层为一整层设 置的光扩散层。
较佳地,所述光扩散层为添加有光散射粒子的胶层,或是利用压印技术制 作而成的具有不同高度凹凸形状的膜层。
本实用新型实施例还提供了一种显示装置,该显示装置包括上述的有机发 光显示面板。
附图说明
图1为现有技术有机发光二极管显示面板在子像素渲染技术中的像素排列 示意图;
图2为现有技术改善彩边与条纹现象的示意图;
图3为本实用新型实施例一提供的一种有机发光显示面板的结构示意图;
图4为本实用新型实施例一提供的有机发光显示面板中薄膜封装层和光扩 散层的结构示意图;
图5为本实用新型实施例一提供的有机发光显示面板中薄膜封装层和光扩 散层的另一结构示意图;
图6为本实用新型实施例一提供的有机发光显示面板中薄膜封装层和光扩 散层的又一结构示意图;
图7为本实用新型实施例一提供的另一有机发光显示面板的结构示意图;
图8为本实用新型实施例二提供的一种有机发光显示面板的结构示意图;
图9为本实用新型实施例二提供的有机发光显示面板中薄膜封装层和光扩 散层的结构示意图;
图10为本实用新型实施例二提供的另一有机发光显示面板的结构示意图;
图11为本实用新型实施例三提供的一种有机发光显示面板的结构示意图;
图12为本实用新型实施例三提供的另一有机发光显示面板的结构示意图。
具体实施方式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的