[发明专利]单元阵体区域易于紫外线透光的版图布线方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种版图布线方法，特别是涉及一种单元阵体区域易于紫外线透光的版图布线方法。

背景技术

大容量闪存芯片单元阵体区域采用三层金属线布线的情况下，出于面积和负载考虑要用宽Metal走线，同时为了满足单元衬底电位的均一性也要采用宽Metal布线。在单元面积尺寸不断缩小的情况下会造成第三金属线几乎布满阵体区域的问题，后续进行紫外线光照的状态下增加了擦除的难度，且会导致出现无法擦除干净的情况。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种单元阵体区域易于紫外线透光的版图布线方法，其在同时满足大容量闪存芯片底层布线和衬底电位线宽的基础上优化布线，易于紫外线光照穿透第三金属线区域，实现单元擦除动作。

本发明是通过下述技术方案来解决上述技术问题的：一种单元阵体区域易于紫外线透光的版图布线方法，其包括下列步骤：

步骤一，在单元阵体区域内排布底层走线和衬底电位走线且底层走线和衬底电位走线均排布在第三金属线上；

步骤二，对第三金属线进行分割，根据实际单元宽度确定线宽；

步骤三，移动第三金属线并使得第三金属线占据两个单元宽度；

步骤四，调节第三金属线与临近单元的距离，使得第三金属线覆盖的单元与第三金属线临近单元到第三金属线的距离相等。

优选地，所述底层走线位于衬底电位走线上方。

优选地，所述第三金属线采用宽金属线布线方式。

优选地，所述对第三金属线进行分割，确保实际单元宽度与线宽相等。

本发明的积极进步效果在于：本发明在同时满足大容量闪存芯片底层布线和衬底电位线宽的基础上优化布线，易于紫外线光照穿透第三金属线区域，实现单元擦除动作。

具体实施方式

下面结合具体实施例对本发明进行详细说明。以下实施例将有助于本领域的技术人员进一步理解本发明，但不以任何形式限制本发明。应当指出的是，对本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进。这些都属于本发明的保护范围。

本发明单元阵体区域易于紫外线透光的版图布线方法包括下列步骤：

步骤一，在单元阵体区域内排布底层走线和衬底电位走线且底层走线和衬底电位走线均排布在第三金属线上；

步骤二，对第三金属线进行分割，根据实际单元宽度确定线宽；

步骤三，移动第三金属线并使得第三金属线占据两个单元宽度；

步骤四，调节第三金属线与临近单元的距离，使得第三金属线覆盖的单元与第三金属线临近单元到第三金属线的距离相等。

底层走线位于衬底电位走线上方。

第三金属线采用宽金属线布线方式。

对第三金属线进行分割，确保实际单元宽度与线宽相等。

相比传统闪存单元阵体第一金属线走逐线积分布线、第三金属线走底层布线的布线方式，本发明中底层走线和衬底电位走线均排布在第三金属线上，为减小闪存单元阵体面积，移动第三金属线并使得第三金属线占据两个单元宽度，满足单元衬底电位的均一性，解决单元面积尺寸不断缩小的情况下第三金属线几乎布满阵体区域的问题，调节第三金属线与临近单元的距离，使得第三金属线覆盖的单元与第三金属线临近单元到第三金属线的距离相等，避免单元面积尺寸缩小的情况产生，后续紫外线光照的状态下擦除难度降低，消除无法擦除干净的情况。

综上所述，本发明在同时满足大容量闪存芯片底层布线和衬底电位线宽的基础上优化布线，易于紫外线光照穿透第三金属线区域，实现单元擦除动作。

以上所述的具体实施例，对本发明的解决的技术问题、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施例而已，并不用于限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。