[发明专利]液晶显示面板的画素结构及其应用的显示设备在审

专利信息
申请号: 201611259738.5 申请日: 2016-12-30
公开(公告)号: CN106873261A 公开(公告)日: 2017-06-20
发明(设计)人: 陈猷仁 申请(专利权)人: 惠科股份有限公司;重庆惠科金渝光电科技有限公司
主分类号: G02F1/1343 分类号: G02F1/1343;G02F1/1335;G02F1/1333
代理公司: 北京汇泽知识产权代理有限公司11228 代理人: 亓赢
地址: 518000 广东省深圳市宝安区石岩街道水田村民*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 液晶显示 面板 结构 及其 应用 显示 设备
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种改善液晶显示面板色偏的设计方法,特别是涉及一种液晶显示面板的画素结构及其应用的显示设备。

背景技术

液晶显示面板通常是由一彩膜基板(Color Filter,CF)、一薄膜晶体管阵列基板(Thin Film Transistor Array Substrate,TFT Array Substrate)以及一配置于两基板间的液晶层(Liquid Crystal Layer,LC Layer)所构成,其工作原理是通过在两片玻璃基板上施加驱动电压来控制液晶层的液晶分子的旋转,将背光模组的光线折射出来产生画面。按照液晶的取向方式不同,目前主流市场上的液晶显示面板可以分为以下几种类型:垂直配向(Vertical Alignment,VA)型、扭曲向列(Twisted Nematic,TN)或超扭曲向列(Super Twisted Nematic,STN)型、平面转换(In-Plane Switching,IPS)型及边缘场开关(Fringe Field Switching,FFS)型。

所述垂直配向型(Vertical Alignment,VA)模式的液晶显示,例如图形垂直配向型(Patterned Vertical Alignment,PVA)液晶显示器或多区域垂直配向型(Multi-domain Vertical Alignment,MVA)液晶显示设备,其中PVA型利用边缘场效应与补偿板达到广视角的效果。MVA型将一个画素分成多个区域,并使用突起物(Protrusion)或特定图案结构,使位于不同区域的液晶分子朝向不同方向倾倒,以达到广视角且提升穿透率的目的。

在IPS模式或FFS模式中,通过施加含有基本平行于基板的分量的电场,使液晶分子在平行于基板平面的方向相应而驱动液晶分子。IPS型液晶显示面板和FFS型液晶显示面板,二者具有广视角的优点。但由于蓝光的波长较短,与红光和绿光相比,达到相同穿透率(Transmittance)所需的相位差(Retardation)较小,红光、绿光和蓝光的穿透率-电压(V-T)曲线不同;而且,红光、绿光和蓝光在面板中的聚酰亚胺(PI)膜、平坦化层(PFA)、涂覆层(OC)等膜面的穿透率不同,也会导致出现色偏问题。

MVA模式目前主流多是采用将画素区分为亮区与暗区,因此光学表现上可以由两种V-T特性混合,另外在适当调整亮暗区面积比例,在大视角时可有效压制中灰阶泛白的问题。

发明内容

为了解决上述技术问题,本发明的目的在于,提供一种改善色偏的设计方法,特别是涉及一种液晶显示面板的画素结构及其应用的显示设备,不仅可以有效解决色偏问题,同时可有效提升画素设计开口率。

本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本发明提出的一种液晶显示面板的画素结构,其特征在于,包括:多个画素单元,所述画素单元包括至少一透光区,其依据不同光程差并依特定面积比例区分画素透光区效果。

本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。

本发明的另一目的为一种液晶显示面板,包括:第一基板;第二基板,与所述第一基板相对设置;液晶层,设置于所述第一基板与所述第二基板之间;且还包括所述的液晶显示面板的画素结构,设置于所述第一基板或所述第二基板上。且更包括第一偏光片设置于所述第一基板的一外表面上;以及第二偏光片设置于所述第二基板的一外表面上,其中所述第一偏光片与所述第二偏光片的偏振方向为互相平行。

本发明的再一目的为提供一种显示装置,包括背光模块,其特征在于:还包括所述的液晶显示面板。

在本发明的一实施例中,所述画素单元,利用不同相位差因素,可将画素单元等效区分为至少12区域。

在本发明的一实施例中,所述画素单元,利用一保护层不同梯度地形因素,可将画素单元等效区分为至少12区域。

在本发明的一实施例中,通过一半调式工艺过程改变所述保护层蚀刻工艺。

在本发明的一实施例中,一第一透光区由四个主透光区域所组成,一第二透光区由四个次透光区域所组成及一第三透光区由四个次二透光区域所组成。

在本发明的一实施例中,所述12区域分为3种不同梯度地形深度,其依所述3种不同梯度地形深度将画素结构分为内层为菱形,中层为菱形及外层为三角形,并将画素电极覆盖其上且保留狭缝设计。

在本发明的一实施例中,所述12区域分为3种不同梯度地形深度,其依所述3种不同梯度地形深度将画素结构分为内层,中层及外层都为矩形,并将画素电极覆盖其上且保留狭缝设计。

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