[发明专利]原位电化学SEM液体芯片组件、其制备方法与应用

权利要求书

1.一种原位电化学SEM液体芯片组件，其特征在于包括密封结合的基片和盖片，所述基片具有第一表面和与第一表面相背对的第二表面，且所述芯片组件内还设有储液池和至少两个电极，所述储液池至少用以容纳电解液，所述的至少两个电极彼此间隔设置，所述电极的至少局部分布于所述储液池内，所述基片或盖片上与储液池对应位置处还分布有观察窗口，所述观察窗口至少用以对储液池内的物质进行观测，所述第一表面、第二表面上分别设置有至少可供电子束通过的薄膜，所述至少可供电子束通过的薄膜密封覆盖所述观察窗口，所述电极包括结合于所述基片第二表面的导电材料层，所述导电材料层的材质选自金、银、铜、导电胶、锂、镁、铝中的任意一种或两种以上的组合，所述盖片的用以与基片结合的面上设置有至少一凹槽，当所述盖片与所述基片密封结合时，所述的至少一凹槽与所述基片围合形成所述储液池，所述储液池的边长为0.5～2cm，深度为0.01～0.5mm，所述盖片具有第三表面和与第三表面相背对的第四表面，所述第三表面上分布有所述凹槽，所述盖片的第四表面上分布有至少一个注液孔，所述注液孔与所述储液池连通。

2.根据权利要求1所述的原位电化学SEM液体芯片组件，其特征在于：所述基片第二表面上间隔设置有至少两个所述的电极。

3.根据权利要求2所述的原位电化学SEM液体芯片组件，其特征在于：所述至少可供电子束通过的薄膜选自氮化硅薄膜或石墨烯薄膜。

4.根据权利要求2所述的原位电化学SEM液体芯片组件，其特征在于：所述基片的第二表面与所述电极之间还分布有绝缘介质层，所述第二表面上的至少可供电子束通过的薄膜包括所述绝缘介质层。

5.根据权利要求4所述的原位电化学SEM液体芯片组件，其特征在于：所述绝缘介质层为氮化硅薄膜。

6.根据权利要求1所述的原位电化学SEM液体芯片组件，其特征在于：所述电极还包括结合于所述基片第二表面的至少两个集流体，所述的至少两个集流体彼此间隔设置，所述集流体上覆设有所述导电材料层。

7.根据权利要求1、2、3或6所述的原位电化学SEM液体芯片组件，其特征在于：所述基片的材质选自硅、氧化硅或氮化硅。

8.根据权利要求1所述的原位电化学SEM液体芯片组件，其特征在于：所述盖片的材质为玻璃。

9.根据权利要求1所述的原位电化学SEM液体芯片组件，其特征在于：所述盖片的材质选自铝、铁、石英、聚氯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、硅中的任意一种或两种以上的组合。

10.如权利要求1-9中任一项所述原位电化学SEM液体芯片组件的制备方法，其特征在于包括：

提供基片，所述基片具有第一表面和与第一表面相背对的第二表面，

在所述基片的第一表面、第二表面上分别设置至少可供电子束通过的薄膜，

在所述基片的第二表面加工形成观察窗口，并使所述观察窗口被所述至少可供电子束通过的薄膜密封覆盖，

在所述基片的第二表面间隔设置至少两个电极；

提供盖片，所述盖片具有第三表面和与第三表面相背对的第四表面，

在所述盖片的第三表面上与所述观察窗口对应位置处加工形成至少一凹槽；

使所述基片的第二表面与所述盖片的第三表面相对设置，并将所述基片与盖片密封结合，使所述凹槽与基片围合形成储液池，且使所述电极的至少局部分布于所述储液池内，以及使所述储液池通过注液孔与所述原位电化学SEM液体芯片组件的外部连通。