[发明专利]电容容值测量电路有效

专利信息
申请号: 201611259458.4 申请日: 2016-12-30
公开(公告)号: CN106645981B 公开(公告)日: 2019-08-27
发明(设计)人: 万峰;张旭;陈光胜;邹旋 申请(专利权)人: 上海东软载波微电子有限公司
主分类号: G01R27/26 分类号: G01R27/26
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 潘彦君;吴敏
地址: 200235 上海市徐汇区*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 待测电容 电容充放电单元 充电控制信号 电容 电压采样单元 放电控制信号 测量电路 测量周期 控制器 改变量 输出 标准电容 充电回路 放电回路 预设时长 预设 测量 采集
【说明书】:

一种电容容值测量电路,包括控制器、待测电容、电容充放电单元以及电压采样单元,其中:所述控制器,适于在一个测量周期中,输出充电控制信号至所述电容充放电单元;并在输出所述充电控制信号达到预设时长时,输出放电控制信号至所述电容充放电单元;计算所述测量周期中,所述待测电容的电压改变量;根据预设的标准电容容值与电压改变量的对应关系,计算所述待测电容容值;所述电容充放电单元,适于在所述充电控制信号的控制下,与所述待测电容形成充电回路;在所述放电控制信号的控制下,与所述待测电容形成放电回路;所述电压采样单元,适于采集所述待测电容的电压值。上述方案能够有效提高电容容值测量的精度。

技术领域

发明涉及元器件测试领域,尤其涉及一种电容容值测量电路。

背景技术

在电工技术中,电容是最常见的元器件之一,广泛应用于电路中的隔直通交、耦合、旁路、调谐回路等应用场景。

在实际应用中,可以采用多种方法来测量电容容值,例如,采用电桥法测量电容容值、采用容抗法测量电容容值。

在采用容抗法测量电容容值时,是将交流正弦波信号施加在被测电容上,之后进行电容—电压转换,再通过带通滤波器滤出干扰信号。然后,通过交流/直流(AlternatingCurrent/Direct Current,AC/DC)转换器得到正比于待测电容容值的有效值电压,进而通过模数转换器(Analog-to-Digital Converter,ADC)对转换后得到的模数(A/D)采样值来计算电容值。

然而,在采用容抗法测量电容容值时,由于电容存在内阻,导致测量精度较低。

发明内容

本发明实施例解决的技术问题是如何提高电容容值测量的精度。

为解决上述技术问题,本发明实施例提供一种电容容值测量电路,包括:控制器、待测电容,分别与所述控制器及所述待测电容耦接的电容充放电单元以及电压采样单元,其中:所述控制器,适于在一个测量周期中,输出充电控制信号至所述电容充放电单元;并在输出所述充电控制信号达到预设时长时,输出放电控制信号至所述电容充放电单元;获取输出所述充电控制信号时所述电压采样单元采集到的待测电容的电压值作为所述待测电容开始充电时的电压值,以及输出所述放电控制信号时所述电压采样单元采集到的待测电容的电压值作为所述待测电容开始放电时的电压值,计算所述测量周期中,所述待测电容在所述预设时长内的电压改变量;根据预设的标准电容容值与电压改变量的对应关系,计算所述待测电容容值;所述电容充放电单元,适于在所述充电控制信号的控制下,与所述待测电容形成充电回路,使所述待测电容充电;以及,在所述放电控制信号的控制下,与所述待测电容形成放电回路,使所述待测电容放电;所述电压采样单元,与所述待测电容耦接,适于在一个测量周期内,采集所述待测电容的电压值。

可选的,所述控制器,适于采用如下公式计算所述待测电容容值:其中,C为所述待测电容容值,C0为预设的标准电容容值,V2为所述标准电容对应的开始放电时的电压值,V1为所述标准电容对应的开始充电时的电压值,(V2-V1)为所述标准电容容值对应的电压改变量,V2'为所述待测电容对应的开始放电时的电压值,V1'为所述待测电容对应的开始充电时的电压值,V2'-V1'为所述待测电容在所述预设时长内的电压改变量。

可选的,所述电容充放电单元包括:多路选择开关、恒流源以及电压源,其中:所述多路选择开关,不动端与待测电容的第一端耦接,动端与恒流源及电压源择一连接,在所述充电控制信号的控制下,将所述恒流源与所述待测电容形成充电回路;以及,在所述放电控制信号的控制下,将所述电压源与所述待测电容形成放电回路;所述待测电容的第二端与地耦接。

可选的,所述电容充放电单元还包括:第一限流电阻,耦接在所述待测电容的第一端与所述电容充放电单元的输出端之间。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海东软载波微电子有限公司,未经上海东软载波微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201611259458.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top