[发明专利]一种平曲面共用改善液晶显示穿透率的方法有效

专利信息
申请号: 201611258212.5 申请日: 2016-12-30
公开(公告)号: CN107065312B 公开(公告)日: 2020-09-04
发明(设计)人: 宋彦君;李祥;谢忠憬;邱钟毅 申请(专利权)人: 深圳市华星光电技术有限公司
主分类号: G02F1/1337 分类号: G02F1/1337
代理公司: 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 代理人: 钟子敏
地址: 518132 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 曲面 共用 改善 液晶显示 穿透 方法
【说明书】:

发明提供一种平曲面共用改善液晶显示穿透率的方法,其包括以下步骤:(1)基于BPS工艺制程制作出基板,所述基板包括阵列基板和CF基板,其中,阵列基板一侧设置有间隔物和黑矩阵,所述CF基板一侧设置有全膜面的透明导电极;(2)利用激光在基板的指定位置处刻上标记,使CF基板在UV2A曝光机台上与所述标记对位;(3)利用激光在所述透明导电极上刻出追踪线,所述追踪线与阵列基板一侧的栅极线或数据线的遮光区对齐;(4)对基板进行曝光,掩膜版对所述追踪线进行追踪。本发明利用激光图形化的方法,克服了技术偏见而能够使BPS+UV2A兼容使用,并提供理想的穿透率,尤其为曲面液晶显示屏提供了十分理想的技术支持。

技术领域

本发明涉及液晶制造领域,特别涉及一种平曲面共用改善液晶显示穿透率的方法。

背景技术

随着液晶显示技术的发展,出现了曲面屏幕,而出于曲面设计的考虑,通常采用BPS(Black Photo Spacer)设计来省去黑矩阵(Black Matrix,简称BM)制程。这是因为BPS既能起到PS(Photo Spacer,间隙控制)的支撑作用,又能在边框(frame)区遮光,即PS与黑矩阵集成于一道制程。同时,由于BPS设计在阵列(Array)基板,制作在下基板上,即可避免上下基板错位导致的光学特性不良。然而,BPS无法与UV2A技术兼容,原因将于下文进行简要的阐述。

UV2A技术为液晶垂直配向的一种方法,紫外光(UV)通过掩膜版(Mask),对像素(pixel)中不同区域进行照光,PI发生光化学反应,在液晶滴入后,可对液晶形成一定角度的配向。对比PSVA配向方法,UV2A具有液晶效率优于PSVA、液晶成本较低等优点。

如图1A和图1B所示,在UV2A制程中,需使用掩膜版1,因对像素中不同区域曝光,为保证精确性,曝光平移过程中,掩膜版1需与面板2设计中特定的图形做对位及追踪。在一般的基板中,CF侧有黑矩阵3或RGB色组,掩膜版1可与黑矩阵图形3或RGB图形对位及追踪。

如图2A和图2B所示,当使用BPS技术时,CF侧无PS、黑矩阵,只有一层ITO透明电极,因此,无任何图形供UV2A追踪曝光,故BPS+UV2A技术无法兼容,也就无法兼具BPS和UV2A的优点。

鉴于此,本发明的发明人提供一种能够使BPS+UV2A进行兼容的平曲面共用改善液晶显示穿透率的方法,从而获得更加理想的液晶显示穿透率。

发明内容

本发明的目的是提供一种平曲面共用改善液晶显示穿透率的方法,其能够使BPS+UV2A进行兼容,从而获得更加理想的液晶显示穿透率。

为达上述目的,本发明提供一种平曲面共用改善液晶显示穿透率的方法,其包括以下步骤:

(1)基于BPS工艺制程制作出基板,所述基板包括阵列基板和CF基板,其中,阵列基板一侧设置有间隔物和黑矩阵,所述CF基板一侧设置有全膜面的透明导电极;

(2)利用激光在CF基板的指定位置处刻上标记,使CF基板在UV2A曝光机台上与所述标记对位;

(3)利用激光在所述透明导电极上刻出追踪线,所述追踪线与阵列基板一侧的栅极线或数据线的遮光区对齐;

(4)对基板进行曝光,掩膜版对所述追踪线进行追踪。

所述的平曲面共用改善液晶显示穿透率的方法,其中,在步骤(2)中,所述追踪线为直线。

所述的平曲面共用改善液晶显示穿透率的方法,其中,在步骤(2)中,所述追踪线为分段的线段。

所述的平曲面共用改善液晶显示穿透率的方法,其中,在步骤(3)中,当对CF侧曝光扫描与数据线平行时,则成盒后追踪线刻在对应数据线的区域上;当对CF侧曝光扫描的方向与栅极线平行时,则成盒后追踪线刻在对应栅极线的区域上。

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