[发明专利]一种平曲面共用改善液晶显示穿透率的方法

权利要求书

1.一种平曲面共用改善液晶显示穿透率的方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)基于BPS工艺制程制作出基板，所述基板包括阵列基板和CF基板，其中，阵列基板一侧设置有间隔物和黑矩阵，所述CF基板一侧设置有全膜面的透明导电极；

(2)利用激光在CF基板的指定位置处刻上标记，使CF基板上的所述标记与UV2A曝光机台上的标记对位；

(3)利用激光在所述透明导电极上刻出追踪线，所述追踪线与阵列基板一侧的栅极线或数据线的遮光区对齐，所述追踪线为分段的线段，每段所述线段的长度大于或等于相邻所述线段之间的间隙；

(4)对基板进行曝光，掩膜版对所述追踪线进行追踪。

2.根据权利要求1所述的平曲面共用改善液晶显示穿透率的方法，其特征在于，在步骤(3)中，当对CF侧曝光扫描的方向与数据线平行时，则成盒后追踪线刻在对应数据线的区域上；当对CF侧曝光扫描的方向与栅极线平行时，则成盒后追踪线刻在对应栅极线的区域上。

3.根据权利要求1至2中任一项所述的平曲面共用改善液晶显示穿透率的方法，其特征在于，在步骤(4)中，当完成第一象限的曝光后，将掩膜版平移半颗像素的距离，开始第二次曝光，以完成CF基板两个象限的曝光。

4.根据权利要求1至2中任一项所述的平曲面共用改善液晶显示穿透率的方法，其特征在于，所述追踪线的宽度为10～150um。

5.根据权利要求1至2中任一项所述的平曲面共用改善液晶显示穿透率的方法，其特征在于，所述追踪线的长度贯穿整个基板。

6.根据权利要求1至2中任一项所述的平曲面共用改善液晶显示穿透率的方法，其特征在于，所述追踪线的数量为1～20条。

7.根据权利要求1至2中任一项所述的平曲面共用改善液晶显示穿透率的方法，其特征在于，所述追踪线位于像素开口区外。

8.根据权利要求1至2中任一项所述的平曲面共用改善液晶显示穿透率的方法，其特征在于，所述追踪线为ITO追踪线或IZO追踪线。