[发明专利]一种多晶硅薄膜的质量检测方法和系统

权利要求书

1.一种多晶硅薄膜的质量检测方法，其包括如下步骤：

向表面上形成有多晶硅薄膜的基板照射光，并对所述多晶硅薄膜进行拍摄，以获得薄膜图像；

根据所述薄膜图像的亮度确定最佳能量密度；

按照设定的尺寸将所述薄膜图像分割成多个图像单元；

获取所述图像单元中所述多晶硅薄膜的显示参数，并将所述显示参数与预设参数进行对比，以获取对比结果；

根据各所述图像单元中所述多晶硅薄膜的显示参数与所述预设参数的对比结果获取合格的所述图像单元的数量；

根据所述薄膜图像的亮度、合格的所述图像单元的数量以及所述图像单元的总数量判断所述多晶硅薄膜是否合格，包括：

根据合格的所述图像单元的数量和所述图像单元的总数量计算图像单元的合格率，并将所述合格率与预设的合格率进行比较；

当所述合格率小于预设合格率，或所述薄膜图像的亮度不是最佳能量密度所对应的亮度时，确定所述多晶硅薄膜的质量为不合格；

当所述合格率大于或等于预设的合格率，且所述薄膜图像的亮度是最佳能量密度所对应的亮度时，确定所述多晶硅薄膜的质量为合格；

若所述多晶硅薄膜不合格，则对所述多晶硅薄膜进行激光退火处理；

若所述多晶硅薄膜合格，则结束检测；

其中，所述激光退火处理的方式包括：若合格率小于预设的合格率但大于预设值时，仅对不合格的图像单元在多晶硅薄膜上对应的区域进行激光退火处理；若合格率为所述预设值以下时，对所述多晶硅薄膜的全部进行激光退火处理。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述薄膜图像的亮度确定最佳能量密度的方法为：

预先建立薄膜图像亮度与最佳能量密度的对应关系，通过所述对应关系以及所述薄膜图像亮度确定最佳能量密度。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述显示参数至少包括亮度和线条宽长度分布，所述将所述显示参数与所述预设参数进行对比，以获取对比结果的步骤包括：

若所述线条宽长度分布大于或等于阈值，并且所述亮度大于或等于所述亮度值，则对比结果为合格；否则为不合格。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述根据各所述图像单元中所述多晶硅薄膜的显示参数与所述预设参数的所述对比结果获取合格的所述图像单元的数量的步骤包括：

根据所述图像单元中所述多晶硅薄膜的显示参数与所述预设参数的对比结果确定所述图像单元是否合格；

统计合格的所述图像的数量。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述根据薄膜图像的亮度、合格的所述图像单元的数量和所述图像单元的总数量判断所述多晶硅薄膜是否合格的步骤包括：

将合格的所述图像单元的数量与预设数量进行比较，所述预设数量为根据所述图像单元的总数量设定的数量；

当合格的所述图像单元的数量小于预设数量，或所述薄膜图像的亮度不是最佳能量密度所对应的亮度时，确定所述多晶硅薄膜的质量为不合格；

当合格的所述图像单元的数量大于或等于预设数量，且所述薄膜图像的亮度是最佳能量密度所对应的亮度时，确定所述多晶硅薄膜的质量为合格。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述多晶硅薄膜进行拍摄的步骤包括：在与所述基板呈5度至45度角的方向上对所述多晶硅薄膜进行拍摄。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述向表面上形成有多晶硅薄膜的基板照射光的步骤包括：

在与表面上形成有多晶硅薄膜的基板呈5度到45度角的方向上向所述基板照射光。

8.一种多晶硅薄膜的质量检测系统，其包括：拍摄装置和处理器；所述拍摄装置包括：电荷耦合组件、光学镜头以及光源；

所述光源位于表面上形成有多晶硅薄膜的基板下方，用于向所述基板照射光；

所述光学镜头位于所述基板上方，用于收集视场内的光线，并将所述光线引入到所述电荷耦合组件，所述多晶硅薄膜包含在所述视场中；

所述电荷耦合组件，用于感应所述光线生成对应的图像，并将所述图像传输给所述处理器；

所述处理器，用于：

根据所述薄膜图像的亮度确定最佳能量密度；

按照设定的尺寸将所述薄膜图像分割成多个图像单元；

获取所述图像单元中所述多晶硅薄膜的显示参数，并将所述显示参数与预设参数进行对比，以获取对比结果；

根据各所述图像单元中所述多晶硅薄膜的显示参数与所述预设参数的对比结果获取合格的所述图像单元的数量；

根据所述薄膜图像的亮度、合格的所述图像单元的数量和所述图像单元的总数量判断所述多晶硅薄膜是否合格，包括：

根据合格的所述图像单元的数量和所述图像单元的总数量计算图像单元的合格率，并将所述合格率与预设的合格率进行比较；

当所述合格率小于预设合格率，或所述薄膜图像的亮度不是最佳能量密度所对应的亮度时，确定所述多晶硅薄膜的质量为不合格；

当所述合格率大于或等于预设的合格率，且所述薄膜图像的亮度是最佳能量密度所对应的亮度时，确定所述多晶硅薄膜的质量为合格；

若不合格，则控制加工设备对所述多晶硅薄膜进行激光退火处理，若合格，则结束检测；

其中，所述激光退火处理的方式包括：若合格率小于预设的合格率但大于预设值时，仅对不合格的图像单元在多晶硅薄膜上对应的区域进行激光退火处理；若合格率为所述预设值以下时，对所述多晶硅薄膜的全部进行激光退火处理。