[发明专利]电容耦合等离子体处理装置与等离子体处理方法

权利要求书

1.一种电容耦合等离子体处理装置，包括：

反应腔，设置有顶壁、侧壁与底壁；

上电极，位于所述反应腔内，设置在所述顶壁；

下电极，位于所述反应腔内，并与所述上电极相对设置；

射频功率源，施加于所述下电极；

偏置功率源，施加于所述下电极；

环形件，环绕所述下电极设置，并可上下移动，所述环形件电连接至所述上电极。

2.如权利要求1所述的电容耦合等离子体处理装置，其特征在于，所述环形件与所述上电极通过一阻抗调节装置电连接。

3.如权利要求2所述的电容耦合等离子体处理装置，其特征在于，所述阻抗调节装置包括一可变电感器或一可变电阻或一可变电容。

4.如权利要求2所述的电容耦合等离子体处理装置，其特征在于，所述阻抗调节装置包括可变电感器、可变电阻与可变电容中的任意两种，或同时包括可变电感器、可变电阻与可变电容。

5.如权利要求1所述的电容耦合等离子体处理装置，其特征在于，所述环形件的材质包括半导体或导体。

6.如权利要求5所述的电容耦合等离子体处理装置，其特征在于，所述环形件的材质包括硅或碳化硅或金属。

7.如权利要求1所述的电容耦合等离子体处理装置，其特征在于，所述上电极接地。

8.如权利要求1所述的电容耦合等离子体处理装置，其特征在于，所述环形件包括竖直排列的多个环，相邻的环之间留有空隙。

9.如权利要求1所述的电容耦合等离子体处理装置，其特征在于，上电极与下电极之间的区域为处理区域；移动至合适的位置时，所述环形件能够从侧面完全包围或局部包围所述处理区域。

10.一种电容耦合等离子体处理装置，包括：

相对设置的上电极与下电极，所述上、下电极之间为处理区域；

射频功率源；

偏置功率源，施加于所述下电极；

环形件，环绕所述下电极设置，所述环形件通过一阻抗调节装置接地。

11.如权利要求10所述的电容耦合等离子体处理装置，其特征在于，所述阻抗调节装置包括一可变电感器或一可变电阻或一可变电容。

12.如权利要求10所述的电容耦合等离子体处理装置，其特征在于，所述阻抗调节装置包括可变电感器、可变电阻与可变电容中的任意两种，或同时包括可变电感器、可变电阻与可变电容。

13.如权利要求10所述的电容耦合等离子体处理装置，其特征在于，所述环形件的材质包括半导体或导体。

14.如权利要求13所述的电容耦合等离子体处理装置，其特征在于，所述环形件的材质包括硅或碳化硅或金属。

15.一种等离子体处理方法，包括：

将待处理基片放入如权利要求2至4与10至14任一项所述的电容耦合等离子体处理装置内，并调节阻抗调节装置，用以调节基片边缘区域的刻蚀速率；

通入处理气体至所述电容耦合等离子体处理装置，对待处理基片进行加工。