[发明专利]纳米结构材料结构和方法

权利要求书

1.一种纳米结构，其包含：

介电层，所述介电层在其中包含发光纳米结构材料，

其中第一组发光纳米结构材料定位于所述介电层的第一深度水平处，并且第二组发光纳米结构材料定位于该相同的介电层的不同于所述第一深度水平的第二深度水平处，以及其中所述第一与第二组发光纳米结构材料之间发射波长不同，以及其中所述纳米结构包含光子晶体。

2.根据权利要求1所述的纳米结构，其中所述纳米结构包含多个嵌套在一起的光子晶体结构，每个光子晶体结构包含介电层，所述介电层在所述介电层内包含一种或多种发光纳米结构材料。

3.根据权利要求1或2所述的纳米结构，其中所述发光纳米结构材料嵌入于所述介电层内。

4.根据权利要求1或2所述的纳米结构，其中所述介电层包含金属氧化物。

5.根据权利要求1或2所述的纳米结构，其中所述纳米结构材料包含量子点、荧光染料或磷光体。

6.根据权利要求1或2所述的纳米结构，其中所述纳米结构提供发光装置、光检测器装置、化学传感器、光伏装置、荧光背光膜、二极管、晶体管、生物传感器、病理检测器或生物活性表面。

7.一种用于制备权利要求1的纳米结构的方法，其包含：

在衬底表面上施用具有一种或多种发光纳米结构材料与一种或多种介电材料安置的层，其中，所述一种或多种发光纳米结构材料之间的发射波长不同。

8.根据权利要求7所述的方法，其中1)介电材料施用于所述衬底上，2)一种或多种纳米结构材料施用于所述施用的介电材料上，并且3)介电材料施用于所述施用的纳米结构材料上。

9.一种用于制备权利要求1的纳米结构的方法，其包含：

用包含一种或多种发光纳米结构材料的组合物浸涂具有介电表面的衬底，其中，所述一种或多种发光纳米结构材料之间的发射波长不同。

10.根据权利要求9所述的方法，其进一步包含在所述浸涂之后向所述衬底施用介电材料。

11.根据权利要求9或10所述的方法，其中所述纳米结构是光子晶体。

12.根据权利要求9或10所述的方法，其中所述纳米结构包含多个嵌套在一起的光子晶体结构，每个光子晶体结构包含介电层，所述介电层在所述介电层内包含一种或多种发光纳米结构材料。