[发明专利]一种顶发射OLED器件折射钝化层的制备方法及其应用

权利要求书

1.一种顶发射OLED器件折射钝化层的制备方法，包括：

步骤一、提供阵列基板，在阵列基板上表面涂布一层光学粘结剂，将所述光学粘结剂通过烘烤固化后形成薄膜结构，剥离所述薄膜结构得到透镜薄膜；

步骤二、在所述透镜薄膜的上表面制备缓冲层；

步骤三、在所述缓冲层上表面制备钝化薄膜，剥离所述钝化薄膜即得顶发射OLED器件折射钝化层；

所述钝化薄膜通过聚二甲基硅氧烷类溶液固化得到，所述聚二甲基硅氧烷类溶液中含有纳米颗粒、荧光材料和量子点材料中的一种或多种；

所述步骤二中，缓冲层的厚度为1-10nm。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述透镜薄膜的上表面为与阵列基板的上表面相接触的面，形状与阵列基板上表面的形状相对。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述聚二甲基硅氧烷类溶液包括聚二甲基硅氧烷及其同系物溶液。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述量子点材料的质量分数为10％-40％；所述荧光材料的质量分数为10％-30％；所述纳米颗粒的质量分数为1％-10％。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述量子点材料选自硫化镉、硒化镉和碲化镉中的一种或多种。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述纳米颗粒选自氧化锌、二氧化钛和氧化镁中的一种或多种。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述光学粘结剂选自有机树脂类粘结剂；所述缓冲层材料选自改性或未改性、掺杂或未掺杂的PEDOT:PSS。

8.一种顶发射OLED器件，包括基板以及在基板上依次设置的阳极、空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极，在所述阴极上还设有根据权利要求1-7任一项所述方法制得的顶发射OLED器件折射钝化层。