[发明专利]影像感测器结构有效
申请号: | 201611235711.2 | 申请日: | 2016-12-28 |
公开(公告)号: | CN107180839B | 公开(公告)日: | 2020-05-22 |
发明(设计)人: | 谢锦全;萧玉焜;王唯科;李立凯 | 申请(专利权)人: | 采钰科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 周滨;章侃铱 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 影像 感测器 结构 | ||
1.一种影像感测器结构,包括:
一基板,具有多个光电转换单元,形成于该基板中;
多个彩色滤光片,形成于该基板上,其中所述多个彩色滤光片分为红色滤光片、绿色滤光片以及蓝色滤光片;
多个微透镜,对应形成于所述多个彩色滤光片上;
一透明材料层,形成于所述多个微透镜上;
一第一滤光片,阻挡波长介于700nm~800nm、700nm~900nm、700nm~1,000nm或800nm~900nm的红外光,形成于该透明材料层上;
一第二滤光片,允许波长介于400nm~700nm的可见光穿透,形成于该第一滤光片上,其中该第二滤光片由具有高、低折射率交错组成的多层膜所构成;以及
一透镜模块,形成于该第二滤光片上。
2.如权利要求1所述的影像感测器结构,其中该透明材料层的折射率低于该微透镜与该第一滤光片的折射率,该透明材料层的折射率低于1.3。
3.一种影像感测器结构,包括:
一基板,具有多个光电转换单元,形成于该基板中;
多个彩色滤光片,形成于该基板上,其中所述多个彩色滤光片分为多个红色滤光片、多个绿色滤光片、多个蓝色滤光片以及多个红外光滤光片(infrared pass filters);
多个微透镜,对应形成于所述多个彩色滤光片上;
一第一透明材料层,形成于所述多个微透镜上;
一第一滤光片,阻挡红外光,形成于部分的该第一透明材料层上,露出对应所述多个红外光滤光片的部分的该第一透明材料层;
一第二滤光片,允许可见光穿透,形成于该第一滤光片上,露出对应所述多个红外光滤光片的该部分的该第一透明材料层;
一第二透明材料层,形成于对应所述多个红外光滤光片的该部分的该第一透明材料层上;以及
一透镜模块,形成于该第二滤光片与该第二透明材料层上;
其中该第一透明材料层的折射率低于该微透镜与该第一滤光片的折射率,该第一透明材料层的折射率低于1.3,
其中该第一滤光片阻挡波长介于700nm~800nm、700nm~900nm、700nm~1,000nm或800nm~900nm的红外光,
其中该第二滤光片由具有高、低折射率交错组成的多层膜所构成,该第二滤光片允许波长介于400nm~700nm的可见光穿透。
4.一种影像感测器结构,包括:
一基板,具有多个光电转换单元,形成于该基板中;
多个彩色滤光片,形成于该基板上,其中所述多个彩色滤光片分为多个红色滤光片、多个绿色滤光片、多个蓝色滤光片以及多个红外光滤光片;
多个微透镜,对应形成于所述多个彩色滤光片上;
一透明材料层,形成于所述多个微透镜上;
一第一滤光片,阻挡红外光,形成于该透明材料层上,其中该第一滤光片阻挡具有一第一波长范围的红外光;
一第二滤光片,允许可见光与红外光穿透,形成于该第一滤光片上,其中该第二滤光片允许具有一第二波长范围的可见光与红外光穿透,其中该第二波长范围的差值大于该第一波长范围的差值;以及
一透镜模块,形成于该第二滤光片上。
5.如权利要求4所述的影像感测器结构,其中该透明材料层的折射率低于该微透镜与该第一滤光片的折射率,该透明材料层的折射率低于1.3,
其中当该第一波长范围介于700nm~800nm时,该第二波长范围介于400nm~900nm,或是当该第一波长范围介于700nm~900nm时,该第二波长范围介于400nm~1,000nm,
其中该第二滤光片由具有高、低折射率交错组成的多层膜所构成。
6.如权利要求4所述的影像感测器结构,还包括一第三滤光片,阻挡红外光,形成于所述多个红色滤光片、所述多个绿色滤光片、所述多个蓝色滤光片与该基板之间,或形成于所述多个红色滤光片、所述多个绿色滤光片、所述多个蓝色滤光片与所述多个微透镜之间。
7.如权利要求6所述的影像感测器结构,其中该第三滤光片阻挡波长为850nm或940nm的红外光。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的