[发明专利]一种湿法刻蚀工艺中去磷硅玻璃槽的配置方法

说明书

本发明公开了一种湿法刻蚀工艺中去磷硅玻璃槽的配置方法，其特征在于去磷硅玻璃槽中加入去离子水与氢氟酸、盐酸混合液，氢氟酸的摩尔浓度为15‑20％，同时通入臭氧。本发明在去磷硅玻璃槽中加入一定比例的盐酸，加大HF的浓度，同时通入一定流量的臭氧，既可起到传统方法中去磷硅玻璃和残留碱的作用，又可有效去除硅片表面金属杂质(臭氧对硅片进行氧化生成SiO2，HF再去除SiO2)，这样可有效提高电池片正面的氢钝化和背面的铝背场钝化效果，从而提高电池片的转换效率。

技术领域

本专利属于光伏技术领域，具体涉及太阳能电池制造过程中的湿法刻蚀工艺。

背景技术

由于在全球范围内石化能源储量有限，且利用石化能源会产生严重的环境污染，所以各国政府普遍注意到各种新型清洁的可再生能源在未来能源结构中的关键地位，纷纷加大对这些能源产业和相关研究工作的支持力度，以便在未来的新能源领域中占有一席之地。在各种新型清洁能源中，太阳能被认为是最具发展前景的清洁能源之一。

晶硅太阳能电池片是将光能转换为电能的器件，光电转换效率是衡量电池片质量的重要指标之一。随着传统P型晶硅电池片的材料更新和工艺改进，P型电池片的转换效率已经临近极限，如何提高电池片的转换效率成为光伏技术人员的一大难题。

常规湿法刻蚀工序中去磷硅玻璃槽采用的HF和去离子水的混合溶液，HF的浓度约8-12％左右，作用仅为去除扩散后电池片正面的磷硅玻璃和中和硅片表面在碱槽中残留的氢氧根离子，硅片表面金属杂质无法有效去除，从而电池片的转化效率不会提高。

发明内容

本发明的目的在于提供一种新型的湿法刻蚀工序去磷硅玻璃槽的配比方法，目的在于提高硅片在湿法刻蚀工序的清洗效果，提高电池片正、背面的钝化效果，达到提高转换效率。

本发明的上述目的是通过以下技术措施来实施来实现的：

一种湿法刻蚀工艺中去磷硅玻璃槽的配置方法，在去磷硅玻璃槽中加入去离子水与氢氟酸、盐酸混合液，氢氟酸的摩尔浓度为15-20％，同时通入臭氧。

优选的，盐酸的摩尔浓度为2-5％。

优选的，臭氧的流速为40-60L/min。

作为本发明的一种实施方式，包含以下步骤：

(1)在去磷硅玻璃槽中加入去离子水，加入氢氟酸和盐酸，氢氟酸的摩尔浓度为15-20％，盐酸的摩尔浓度为2-5％，开启循环，混合10分钟；

(2)将臭氧通入循环管内，臭氧流量40-60L/min，反应前持续10分钟以上，反应过程中保持流量20-30L/min，温度保持在25-35℃；

(3)将扩散后的硅片放入湿法刻蚀机台，工艺过程中在去磷硅玻璃槽中需保持0.5-2min。

作为本发明的最优实施方式，包含以下步骤：

(1)在去磷硅玻璃槽中加入去离子水，加入氢氟酸和盐酸，氢氟酸的摩尔浓度为18％，盐酸的摩尔浓度为4％，开启循环，混合10分钟；

(2)将臭氧通入循环管内，臭氧流量50L/min，反应前持续10分钟，反应过程中保持流量25L/min，温度保持在30℃；

(3)将扩散后的硅片放入湿法刻蚀机台，工艺过程中在去磷硅玻璃槽中需保持1.5min。

优选的，所述臭氧由臭氧发生器制作。

本发明的有益效果：