[发明专利]提高键合强度的退火方法有效
| 申请号： | 201611227760.1 | 申请日： | 2016-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN106601615B | 公开（公告）日： | 2020-05-15 |
| 发明（设计）人： | 魏星;常永伟;陈猛;陈国兴;费璐;王曦 | 申请（专利权）人： | 上海新傲科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤 |
| 地址： | 201821 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 提高 强度 退火 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种提升晶圆界面键合强度的退火方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供一衬底，所述衬底具有一键合界面，所述键合界面为绝缘层和顶层半导体层的界面；
第一退火步骤，所述第一退火步骤在含氧气氛中实施，本步骤在衬底四周的表面形成氧化保护层，所述氧化保护层的厚度大于40nm，所述氧化保护层对键合界面起到保护作用，避免外界杂质元素向键合界面扩散；
第二退火步骤，在第一退火步骤后实施，第二退火步骤温度高于第一退火步骤且在氩气和氧气的混合气体中实施，以避免氮元素进入键合界面并与界面的原子形成极性键，以提高键合界面强度。
2.根据权利要求1所述的提升晶圆界面键合强度的退火方法，其特征在于，所述第一退火步骤的温度范围是900℃至1350℃。
3.根据权利要求1所述的提升晶圆界面键合强度的退火方法，其特征在于，所述第二退火步骤的温度范围是1000℃至1350℃。
4.根据权利要求1所述的提升晶圆界面键合强度的退火方法，其特征在于，所述第一退火步骤在湿氧环境中实施。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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