[发明专利]一种启动电路及自偏置锁相环电路有效
申请号: | 201611217626.3 | 申请日: | 2016-12-26 |
公开(公告)号: | CN106656170B | 公开(公告)日: | 2020-02-18 |
发明(设计)人: | 沈炎俊;刘寅 | 申请(专利权)人: | 北京华大九天软件有限公司 |
主分类号: | H03L7/085 | 分类号: | H03L7/085;H03L7/18 |
代理公司: | 北京德崇智捷知识产权代理有限公司 11467 | 代理人: | 王金双 |
地址: | 100102 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 启动 电路 偏置 锁相环 | ||
一种启动电路及自偏置锁相环电路,该启动电路,包括,电流源、第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管,其中,第一PMOS管的栅极、第二PMOS管的栅极及漏极、第三NMOS管的漏极相连接;第一NMOS管漏极、第二NMOS管的漏极及栅极、电流源的输出端、第三NMOS管的栅极相连接;第一PMOS管的漏极、第一NMOS管的栅极相连接,作为启动端;第一PMOS管源极、第二PMOS管的源极、电流源的输入端与电源相连接;第一NMOS管、第二NMOS管及第三NMOS管的源极接地。本发明的启动电路可以保证自偏置锁相环电路的可靠启动,进一步保证芯片流片成功。此外,本发明的启动电路的核心器件仅为五个晶体管,采用较少的器件即可实现启动功能,保证了芯片的可靠及节省了芯片的面积。
技术领域
本发明涉及一种HDMI标准中的自偏置锁相环电路,尤其涉及一种自偏置锁相环电路及其启动电路。
背景技术
常用的锁相环电路通常需要提供额外的电流,并且整个环路的参数(如闭环带宽、阻尼系数等)也受工艺等因素影响。在这种情况下,自偏置锁相环电路应运而生。自偏置锁相环电路可以保证环路的参数不受工艺变化的影响,并且它也不需要提供额外的电流。但是自偏置锁相环电路需要启动电路,因为当电源上电后自偏置的电荷泵电路并不产生电流来对滤波器充放电,所以需要一个启动电路来提供电流对滤波器充电,并保证在锁相环正常工作后,该启动电路不对系统产生影响。在整个锁相环电路设计中,其启动电路只是其中的一小部分,但是它对整个系统可以正常工作起到非常关键的作用。
现有技术中常用的启动电路,如图1所示。其启动过程如下:当锁相环上电后,复位信号pllenb为高电平,通过PMOS管(PM0)给Vctrl点充电到VDD;当pllenb信号跳到低电平后,模拟计时器开始工作,NMOS管(NM0)开始工作,Vctrl点电压通过NMOS管(NM0)从VDD开始放电;当该点Vctrl电压低于分压阈值V1时,比较器输出一个使能信号启动电荷棒和压控振荡器,同时给出一个启动结束信号将放电NMOS管(NM0)关闭。从而结束启动过程,这样锁相环就进入自我调整的过程。
在对现有技术进行分析后,发明人发现PLL电路目前的启动电路存在以下缺陷:阈值电压V1的值需要根据不同的情况进行不同的设置;启动电路本身比较复杂。
发明内容
为了解决现有技术存在的不足,本发明的目的在于提供一种启动电路及一种自偏置锁相环电路。
为实现上述目的,本发明提供的一种启动电路,包括,电流源、第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管,其中,
所述第一PMOS管的栅极、所述第二PMOS管的栅极及漏极、所述第三NMOS管的漏极相连接;
所述第一PMOS管源极、所述第二PMOS管的源极、所述电流源的输入端与电源相连接;
所述第一PMOS管的漏极、所述第一NMOS管的栅极相连接,作为启动端;
所述第一NMOS管漏极、所述第二NMOS管的漏极及栅极、所述电流源的输出端、所述第三NMOS管的栅极相连接;
所述第一NMOS管、所述第二NMOS管及所述第三NMOS管的源极接地。
进一步地,所述启动电路,还包括:开关,所述第一PMOS管的漏极及所述第一NMOS管的栅极与所述开关相连接。
进一步地,所述启动电路,还包括:寄存器,所述寄存器用于控制所述开关的打开及关闭。
为实现上述目的,本发明还提供一种自偏置锁相环电路,包括,鉴频鉴相器、电荷泵、滤波器、压控振荡器、分频器,其中,
所述鉴频鉴相器、所述电荷泵、所述滤波器及所述压控振荡器依次电性连接,所述分频器将所述压控振荡器产生的时钟信号反馈给所述鉴频鉴相器;
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