[发明专利]双面型太阳能电池结构的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种电池结构的制造方法，特别是涉及一种双面型太阳能电池结构的制造方法。

背景技术

在现有技术中，当制造双面型太阳能电池结构时，先于双面型太阳能电池结构的上表面(upper side)形成抗反射涂层(anti-reflection coating,ARC)后，再于所述双面型太阳能电池结构的背面(rear side)进行N+型区域扩散的程序，其中所述扩散程序是使用氧氯化磷(phosphorus oxychloride,POCl3)作为液体磷扩散源，并且所述抗反射涂层(ARC)的材质例如是氮化硅(silicon nitride,SiNx)。然而，磷酸对于一部分的氮化硅(SiNx)具有较高的蚀刻率，并且所述蚀刻率随着制造过程温度的上升更为明显。所以在双面型太阳能电池结构的背面进行N+型区域扩散的程序后，于双面型太阳能电池结构的上表面的抗反射涂层(ARC)中形成许针孔(pin holes)，因而造成双面型太阳能电池结构表面的缺陷。

此外，由于需要在双面型太阳能电池的制作过程中利用湿式化学蚀刻步骤、雷射绝缘步骤或是现有的制造过程步骤等方法进行电性绝缘程序(electrical isolation procedure)。然而，所述各种电性绝缘方法需要至少一额外的双面型太阳能电池的制造过程步骤，故，所述额外的制造过程步骤将会无法避免地增加制造过程的成本以及降低产品的良率。

因此需要提出一种新式的双面型太阳能电池结构的制造方法，以解决所述之问题。

发明内容

本发明的一目的在于提供一种双面型太阳能电池结构的制造方法，通过一牺牲层(sacrifice film)保护半导体基材的第一抗反射涂层(ARC)以及两相对侧边部，以避免磷酸的作用，使得在所述第一抗反射涂层(ARC)上不会形成针孔或是缺陷。

本发明的另一目的在于提供一种双面型太阳能电池结构的制造方法，通过在半导体基材的两相对侧边部上同时形成所述第一抗反射涂层(ARC)，以电性绝缘P+型区域与N+型区域，其中P定义为正型(positive)离子，N定义为负型(negative)离子。

为达成所述目的，本发明的一实施例中双面型太阳能电池结构的制造方法，包括下列步骤：在一半导体基材的一第一表面上进行一硼扩散的制造过程步骤，以形成P+型区域，并且在所述P+型区域上形成硼硅玻璃层；移除所述P+型区域上的所述硼硅玻璃层，以曝露所述P+型区域；在所述P+型区域上形成第一抗反射层；在所述第一抗反射层上形成牺牲层；在所述半导体基材的第二表面上进行磷扩散的制造过程步骤，以形成N+型区域并且在所述N+型区域形成磷硅玻璃层；移除在所述N+型区域上的所述磷硅玻璃层以曝露所述N+型区域，并且移除在所述第一抗反射层上的所述牺牲层；以及在所述N+型区域上形成第二抗反射层。

优选地，在所述半导体基材的所述第一表面上进行所述硼扩散的制造过程步骤，以形成所述P+型区域，并且在所述P+型区域上形成所述硼硅玻璃层的步骤之前，还包括下列步骤：在所述半导体基材上进行一碱性蚀刻步骤，以分别于所述半导体基材的所述第一表面以及所述第二表面，以形成纹理结构组织；以及在所述半导体基材的所述第二表面上形成一阻隔层。

优选地，所述阻隔层的材质是选自有机材料或是无机材料两者其中之一，所述有机材料的形成方法是选自化学气相沉积法、网版印刷法、喷墨印刷法以及旋涂法其中任意一种，并且所述无机材料的形成方法是选自化学气相沉积法、网版印刷法、喷墨印刷法以及旋涂法其中任意一种。

优选地，所述第一抗反射层是为单层结构以及多层结构其中一种，所述单层结构的材质是选自氧化硅、氮氧化硅、氧化铝以及氮化硅所组成的族群，所述多层结构是选自氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、氮化硅以及其组合的族群。

优选地，在所述半导体基材的所述第二表面上进行所述磷扩散的制造过程步骤，以形成所述N+型区域并且在所述N+型区域形成所述磷硅玻璃层的步骤中，所述牺牲层用以保护所述第一抗反射层，以避免所述第一抗反射层受到酸性蚀刻。

优选地，所述牺牲层是选自氧化硅以及氮氧化硅所组成的族群。

优选地，所述牺牲层的厚度介于10至200纳米之间。

优选地，是以氢氟酸移除所述磷硅玻璃层以及牺牲层。

优选地，所述第二抗反射层为单层结构以及多层结构其中一种，所述单层结构的材质是选自氧化硅、氮氧化硅、氧化铝以及氮化硅所组成的族群，所述多层结构是选自氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、氮化硅以及其组合的族群。