[发明专利]双面型太阳能电池结构的制造方法

权利要求书

1.一种双面型太阳能电池结构的制造方法，其特征在于，所述双面型太阳能电池结构的制造方法包括：

在一半导体基材的一第一表面上进行一硼扩散的制造过程步骤，以形成一P+型区域，并且在所述P+型区域上形成一硼硅玻璃层；

移除所述P+型区域上的所述硼硅玻璃层，以曝露所述P+型区域；

在所述P+型区域上形成一第一抗反射层；

在所述第一抗反射层上形成一牺牲层；

在所述半导体基材的一第二表面上进行一磷扩散的制造过程步骤，以形成一N+型区域并且在所述N+型区域形成一磷硅玻璃层；

移除在所述N+型区域上的所述磷硅玻璃层以曝露所述N+型区域，并且移除在所述第一抗反射层上的所述牺牲层；以及

在所述N+型区域上形成一第二抗反射层。

2.根据权利要求1所述的双面型太阳能电池结构的制造方法，其特征在于，在所述半导体基材的所述第一表面上进行所述硼扩散的制造过程步骤，以形成所述P+型区域，并且在所述P+型区域上形成所述硼硅玻璃层的步骤之前，还包括下列步骤：

在所述半导体基材上进行一碱性蚀刻步骤，以分别于所述半导体基材的所述第一表面以及所述第二表面，以形成一纹理结构组织；以及

在所述半导体基材的所述第二表面上形成一阻隔层。

3.根据权利要求2所述的双面型太阳能电池结构的制造方法，其特征在于，所述阻隔层的材质是选自有机材料或是无机材料两者其中之一，所述有机材料的形成方法是选自化学气相沉积法、网版印刷法、喷墨印刷法以及旋涂法其中任意一种，并且所述无机材料的形成方法是选自化学气相沉积法、网版印刷法、喷墨印刷法以及旋涂法其中任意一种。

4.根据权利要求1所述的双面型太阳能电池结构的制造方法，其特征在于，所述第一抗反射层为单层结构以及多层结构其中一种，所述单层结构的材质是选自氧化硅、氮氧化硅、氧化铝以及氮化硅所组成的族群，所述多层结构是选自氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、氮化硅以及其组合的族群。

5.根据权利要求1所述的双面型太阳能电池结构的制造方法，其特征在于，在所述半导体基材的所述第二表面上进行所述磷扩散的制造过程步骤，以形成所述N+型区域并且在所述N+型区域形成所述磷硅玻璃层的步骤中，所述牺牲层用以保护所述第一抗反射层，以避免所述第一抗反射层受到酸性蚀刻。

6.根据权利要求1所述的双面型太阳能电池结构的制造方法，其特征在于，所述牺牲层是选自氧化硅以及氮氧化硅所组成的族群。

7.根据权利要求1所述的双面型太阳能电池结构的制造方法，其特征在于，所述牺牲层的厚度介于10至200纳米之间。

8.根据权利要求1所述的双面型太阳能电池结构的制造方法，其特征在于，是以氢氟酸移除所述磷硅玻璃层以及牺牲层。

9.根据权利要求1所述的双面型太阳能电池结构的制造方法，其特征在于，所述第二抗反射层是为单层结构以及多层结构其中一种，所述单层结构的材质是选自氧化硅、氮氧化硅、氧化铝以及氮化硅所组成的族群，所述多层结构是选自氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、氮化硅以及其组合的族群。

10.根据权利要求1所述的双面型太阳能电池结构的制造方法，其特征在于，所述半导体基材包括具有P+型或是N+型的不纯物掺杂材质。

11.根据权利要求1所述的双面型太阳能电池结构的制造方法，其特征在于，所述P+型区域以及所述N+型区域是利用扩散制造过程步骤、具有退火步骤的离子布值制造过程步骤、以及前驱物退火制造过程步骤中任一种步骤所形成。

12.根据权利要求11所述的双面型太阳能电池结构的制造方法，其特征在于，所述前驱物退火制造过程步骤包括旋涂法、网版印刷法、喷墨印刷法、以及常压化学气相沉积法其中任意一种。

13.根据权利要求1所述的双面型太阳能电池结构的制造方法，其特征在于，在所述N+型区域上形成所述第二抗反射层以产生双面型太阳能电池结构的步骤之后，还包括在所述第一抗反射层中形成至少一第一电极以电性连接所述P+型区域，并且在所述第二抗反射层中形成至少一第二电极以电性连接所述N+型区域。