[发明专利]一种阵列基板

说明书

技术领域

本发明属于液晶显示技术领域，具体地讲，涉及一种低温多晶硅阵列基板。

背景技术

GOA技术是将栅极驱动器集成在玻璃基板上形成对面板的扫描。近来人们日渐深入研究该技术在低温多晶硅(LTPS)阵列基板上应用。

如图1所示，传统的低温多晶硅阵列基板(LTPS)在设计时，整个驱动电路30上方覆盖有一层较厚的平坦层(PLN)涂层。驱动电路30包括栅极驱动区(GOA)31，在栅极驱动区31的最外围有一圈接地电路区(GND)32金属走线设计。通常的设计中，为了增加边框上方框胶的粘合力，会将GND两边的PLN通过掩膜板直接去除。通常的操作是在PLN上挖槽，且会对准在GND边上空白处。

而在cell制程中，由于框胶会涂覆在整个GOA区域的上方，较小的接触面积不利于框胶的固化与粘合。因此，现有的设计对于边框设计的宽度有要求，尤其是在目前设计越来越趋向于窄边框设计，PLN挖槽会越来越窄，甚至直接拿掉，但是这样不利于框胶的粘合以及固化。

另外，在涂覆液晶配向液(PI液)时，也会出现PI液回流的现象，导致PI的厚度不均一，影响面板的光学品味。

发明内容

为了解决上述现有技术存在的问题，本发明提供一种阵列基板，其能够增大框胶与阵列基板的接触面积，还能够阻截PI液的回流。

这种阵列基板，从下至上包括：玻璃基板、缓冲层以及

驱动电路，其包括栅极驱动区以及设于所述栅极驱动区外围的接地电路区；所述驱动电路表面从下至上依次覆盖有平坦层和钝化层；

所述栅极驱动区所对应的平坦层上开设有若干个凹槽。

其中，相邻两个所述凹槽之间呈错位排列。

其中，所述栅极驱动区外围、避开所述接地电路区还设有若干个阻挡墙，用于防止液晶配向液的回流。

其中，所述阻挡墙从下至上依次包括半导体层、栅极绝缘层、栅极层、层间隔离层、接触层和钝化层。

其中，相邻两个所述阻挡墙之间呈错位排列。

其中，所述栅极驱动区从下至上依次包括半导体层、栅极绝缘层、栅极层、层间隔离层、源漏极层。

本发明还提供一种阵列基板的制备方法，包括如下步骤：

依次在玻璃基板上形成缓冲层、半导体层、栅极绝缘层、栅极层、层间隔离层、源漏极层以及平坦层、钝化层；在所述玻璃基板上组成栅极驱动区和接地电路区；

在所述栅极驱动区对应的平坦层上、避开所述接地电路区开设若干个凹槽。

本发明还提供另一种阵列基板的制备方法，包括如下步骤：

依次在玻璃基板上形成缓冲层、半导体层、栅极绝缘层、栅极层、层间隔离层、源漏极层以及平坦层、钝化层；在所述玻璃基板上组成栅极驱动区、接地电路区以及阻挡墙；所述阻挡墙避开所述栅极驱动区、所述接地电路区设置；

在所述栅极驱动区对应的平坦层上、避开所述接地电路区开设若干个凹槽，相邻两个所述凹槽之间呈错位排列。

有益效果：

本发明提供一种阵列基板的结构设计，增加PLN沟槽和阻挡墙的设计，能够在边框粘合阶段中，不额外增加光照的情况下，提高框胶与阵列基板的粘合力和固化率，同时还能防止PI液回流，提升PI的均一度、增强面板的显示性能，对于窄边框的设计也是有利的。而且，本发明的阻挡墙是转驱动电路制备工序中与其他电路区一体成型的，不需要额外增加工艺步骤，能在维持原有制备成本和效率的基础上，获得更加的产品结构。

附图说明

通过结合附图进行的以下描述，本发明的实施例的上述和其它方面、特点和优点将变得更加清楚，附图中：

图1是现有技术的阵列基板结构示意图；

图2是本发明实施例的阵列基板结构示意图；

图3是本发明实施例的阵列基板俯视结构示意图。

具体实施方式

以下，将参照附图来详细描述本发明的实施例。然而，可以以许多不同的形式来实施本发明，并且本发明不应该被解释为限制于这里阐述的具体实施例。相反，提供这些实施例是为了解释本发明的原理及其实际应用，从而使本领域的其他技术人员能够理解本发明的各种实施例和适合于特定预期应用的各种修改。

本实施例提供一种阵列基板，如图2所示，其从下至上包括：玻璃基板10、缓冲层20、驱动电路30(GOA)。