[发明专利]一种阵列基板在审
| 申请号： | 201611204904.1 | 申请日： | 2016-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN106597723A | 公开（公告）日： | 2017-04-26 |
| 发明（设计）人： | 王聪;廖作敏 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1333 | 分类号： | G02F1/1333;G02F1/1339;G02F1/1345 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司44304 | 代理人： | 孙伟峰,侯艺 |
| 地址： | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 阵列 | ||
1.一种阵列基板，从下至上包括：玻璃基板、缓冲层以及
驱动电路，其包括栅极驱动区以及设于所述栅极驱动区外围的接地电路区；所述驱动电路表面从下至上依次覆盖有平坦层和钝化层；其特征在于，
所述栅极驱动区所对应的平坦层上开设有若干个凹槽。
2.根据权利要求1所述阵列基板，其特征在于，相邻两个所述凹槽之间呈错位排列。
3.根据权利要求1所述阵列基板，其特征在于，所述栅极驱动区从下至上依次包括半导体层、栅极绝缘层、栅极层、层间隔离层、源漏极层。
4.根据权利要求1所述阵列基板，其特征在于，所述栅极驱动区外围、避开所述接地电路区还设有若干个阻挡墙，用于防止液晶配向液的回流。
5.根据权利要求4所述阵列基板，其特征在于，所述阻挡墙从下至上依次包括半导体层、栅极绝缘层、栅极层、层间隔离层、接触层和钝化层。
6.根据权利要求4或5所述阵列基板，其特征在于，相邻两个所述阻挡墙之间呈错位排列。
7.一种如权利要求1～3任一项所述阵列基板的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
依次在玻璃基板上形成缓冲层、半导体层、栅极绝缘层、栅极层、层间隔离层、源漏极层以及平坦层、钝化层；在所述玻璃基板上组成栅极驱动区和接地电路区；
在所述栅极驱动区对应的平坦层上、避开所述接地电路区开设若干个凹槽。
8.一种如权利要求1～6任一项所述阵列基板的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
依次在玻璃基板上形成缓冲层、半导体层、栅极绝缘层、栅极层、层间隔离层、源漏极层以及平坦层、钝化层；在所述玻璃基板上组成栅极驱动区、接地电路区以及阻挡墙；所述阻挡墙避开所述栅极驱动区、所述接地电路区设置；
在所述栅极驱动区对应的平坦层上、避开所述接地电路区开设若干个凹槽，相邻两个所述凹槽之间呈错位排列。
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