[发明专利]微机械结构元件有效
| 申请号: | 201611201538.4 | 申请日: | 2016-09-19 |
| 公开(公告)号: | CN106744666B | 公开(公告)日: | 2022-03-15 |
| 发明(设计)人: | J·克拉森 | 申请(专利权)人: | 罗伯特·博世有限公司 |
| 主分类号: | B81C3/00 | 分类号: | B81C3/00;B81B7/00;B81B7/02;G01C19/5733;G01P15/125 |
| 代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 郭毅 |
| 地址: | 德国斯*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 微机 结构 元件 | ||
1.一种用于制造微机械结构元件(100)的方法,该方法具有以下步骤:
-提供MEMS晶片(10);
-从所述MEMS晶片(10)的第二衬底层(13)的表面开始结构化所述MEMS晶片(10),以便构造第二可运动的MEMS结构,其中,所述第二衬底层(13)的表面在第二方向上取向,其中,在所述MEMS晶片(10)的第一衬底层(11)与所述第二衬底层(13)之间构造至少一个导电连接部;
-提供罩晶片(30);
-将所述MEMS晶片(10)与所述罩晶片(30)连接;
-从所述MEMS晶片(10)的所述第一衬底层(11)的表面开始结构化所述MEMS晶片(10),以便构造第一可运动的MEMS结构,其中,所述第一可运动的MEMS结构和所述第二可运动的MEMS结构至少区段式地相叠布置,其中,所述第一衬底层(11)的表面在第一方向上取向,所述第一方向与所述第二方向基本相反;
-提供ASIC晶片(20);并且
-将所述ASIC晶片(20)与由所述MEMS晶片(10)和所述罩晶片(30)构成的复合结构连接。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,借助金属接合工艺实施所述ASIC晶片(20)与由MEMS晶片(10)和罩晶片(30)构成的所述复合结构的连接。
3.根据权利要求2所述的方法,其中,金属接合工艺构造为共晶铝锗接合工艺或铜锡固-液相互扩散接合工艺或金属直接接合工艺。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法,其中,由多晶硅或者由金属构造所述MEMS晶片(10)的所述第一衬底层和所述第二衬底层之间的连接部。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的方法,其中,将用于电接通所述微机械结构元件(100)的至少一个接通元件(40)构造为所述ASIC晶片(20)中的敷镀通孔(50)。
6.根据权利要求1至3中任一项所述的方法,其中,将用于电接通所述微机械结构元件(100)的至少一个接通元件(40)构造为引线接合元件。
7.根据权利要求1至3中任一项所述的方法,其中,借助SOI晶片(10)构造所述MEMS晶片(10)。
8.根据权利要求1至3中任一项所述的方法,其中,在将所述MEMS晶片(10)结构化以构造所述第二可运动的MEMS结构之后执行所述MEMS晶片(10)与所述罩晶片(30)的连接。
9.根据权利要求1至3中任一项所述的方法,其中,在将所述MEMS晶片(10)与所述罩晶片(30)连接之后将所述MEMS晶片(10)结构化以构造所述第一可运动的MEMS结构。
10.根据权利要求1至3中任一项所述的方法,其中,在将所述MEMS晶片(10)结构化以构造所述第一可运动的MEMS结构之后执行所述ASIC晶片(20)与由所述MEMS晶片(10)和所述罩晶片(30)构成的复合结构的连接。
11.根据权利要求1至3中任一项所述的方法,其中,在将所述MEMS晶片(10)结构化以构造所述第二可运动的MEMS结构之后将所述MEMS晶片(10)结构化以构造所述第一可运动的MEMS结构。
12.根据权利要求1至3中任一项所述的方法,其中,由钨构造所述MEMS晶片(10)的所述第一衬底层和所述第二衬底层之间的连接部。
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