[发明专利]微机械结构元件有效

专利信息
申请号: 201611201538.4 申请日: 2016-09-19
公开(公告)号: CN106744666B 公开(公告)日: 2022-03-15
发明(设计)人: J·克拉森 申请(专利权)人: 罗伯特·博世有限公司
主分类号: B81C3/00 分类号: B81C3/00;B81B7/00;B81B7/02;G01C19/5733;G01P15/125
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 郭毅
地址: 德国斯*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 微机 结构 元件
【权利要求书】:

1.一种用于制造微机械结构元件(100)的方法,该方法具有以下步骤:

-提供MEMS晶片(10);

-从所述MEMS晶片(10)的第二衬底层(13)的表面开始结构化所述MEMS晶片(10),以便构造第二可运动的MEMS结构,其中,所述第二衬底层(13)的表面在第二方向上取向,其中,在所述MEMS晶片(10)的第一衬底层(11)与所述第二衬底层(13)之间构造至少一个导电连接部;

-提供罩晶片(30);

-将所述MEMS晶片(10)与所述罩晶片(30)连接;

-从所述MEMS晶片(10)的所述第一衬底层(11)的表面开始结构化所述MEMS晶片(10),以便构造第一可运动的MEMS结构,其中,所述第一可运动的MEMS结构和所述第二可运动的MEMS结构至少区段式地相叠布置,其中,所述第一衬底层(11)的表面在第一方向上取向,所述第一方向与所述第二方向基本相反;

-提供ASIC晶片(20);并且

-将所述ASIC晶片(20)与由所述MEMS晶片(10)和所述罩晶片(30)构成的复合结构连接。

2.根据权利要求1所述的方法,其中,借助金属接合工艺实施所述ASIC晶片(20)与由MEMS晶片(10)和罩晶片(30)构成的所述复合结构的连接。

3.根据权利要求2所述的方法,其中,金属接合工艺构造为共晶铝锗接合工艺或铜锡固-液相互扩散接合工艺或金属直接接合工艺。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法,其中,由多晶硅或者由金属构造所述MEMS晶片(10)的所述第一衬底层和所述第二衬底层之间的连接部。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的方法,其中,将用于电接通所述微机械结构元件(100)的至少一个接通元件(40)构造为所述ASIC晶片(20)中的敷镀通孔(50)。

6.根据权利要求1至3中任一项所述的方法,其中,将用于电接通所述微机械结构元件(100)的至少一个接通元件(40)构造为引线接合元件。

7.根据权利要求1至3中任一项所述的方法,其中,借助SOI晶片(10)构造所述MEMS晶片(10)。

8.根据权利要求1至3中任一项所述的方法,其中,在将所述MEMS晶片(10)结构化以构造所述第二可运动的MEMS结构之后执行所述MEMS晶片(10)与所述罩晶片(30)的连接。

9.根据权利要求1至3中任一项所述的方法,其中,在将所述MEMS晶片(10)与所述罩晶片(30)连接之后将所述MEMS晶片(10)结构化以构造所述第一可运动的MEMS结构。

10.根据权利要求1至3中任一项所述的方法,其中,在将所述MEMS晶片(10)结构化以构造所述第一可运动的MEMS结构之后执行所述ASIC晶片(20)与由所述MEMS晶片(10)和所述罩晶片(30)构成的复合结构的连接。

11.根据权利要求1至3中任一项所述的方法,其中,在将所述MEMS晶片(10)结构化以构造所述第二可运动的MEMS结构之后将所述MEMS晶片(10)结构化以构造所述第一可运动的MEMS结构。

12.根据权利要求1至3中任一项所述的方法,其中,由钨构造所述MEMS晶片(10)的所述第一衬底层和所述第二衬底层之间的连接部。

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