[发明专利]半导体器件的制造方法

说明书

技术领域

本发明的实施例涉及半导体器件的制造方法。

背景技术

半导体器件用于诸如个人电脑、手机、数码相机和其它电子设备的各种电子应用中。通常通过在半导体衬底上方依次沉积绝缘或介电层、导电层和半导体材料层以及使用光刻图案化各个材料层以在各个材料层上形成电路组件和元件来制造半导体器件。

通常在单个半导体晶圆上制造数十个或数百个集成电路管芯。通过沿着划线锯切集成电路管芯来分割单独的集成电路管芯。之后，以多管芯模块或其它类型的封装分别封装单独的管芯。

在一些应用中，接触焊盘用于制成至集成电路管芯的电连接。接触焊盘形成在集成电路管芯上并且连接至下面的电路。可以通过布线接合、连接器或其它类型的器件制成至集成电路管芯的接触焊盘的电连接。在一些应用中，用于集成电路管芯的封装件也可以包括用于制成至封装的集成电路管芯的电连接的接触焊盘。

发明内容

本发明的实施例提供了.一种制造半导体器件的方法，包括：在半导体器件上方形成接触焊盘；以及在所述接触焊盘上方形成钝化材料，其中，所述钝化材料包括材料的厚度和类型，从而使得制成穿过所述钝化材料至所述接触焊盘的电连接。

本发明的另一实施例提供了一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：在衬底上方形成导电材料；在所述导电材料上方形成钝化材料，其中，所述钝化材料包括材料的厚度和类型，从而使得制成穿过所述钝化材料至所述导电材料的电连接；以及图案化所述钝化材料和所述导电材料以由所述导电材料形成接触焊盘。

本发明的又一实施例提供了一种半导体器件，包括：衬底；接触焊盘，设置在所述衬底上方；钝化材料，设置在所述接触焊盘上方；以及布线、连接器或接触件，穿过所述钝化材料耦合至所述接触焊盘。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明的各个方面。应该指出，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。

图1至图8是根据本发明的一些实施例的示出形成接触焊盘的方法的处于制造的各个阶段的半导体器件的截面图。

图9是根据一些实施例的示出穿过设置在接触焊盘上的钝化材料耦合至接触焊盘的布线的图8中所示的半导体器件的截面图。

图10是图9中示出的一些实施例的顶视图。

图11至图13是根据一些实施例的示出包括具有设置在其上的钝化材料的接触焊盘的半导体器件的截面图。

图14示出了包括具有设置在其上的钝化材料的接触焊盘的封装的半导体器件的截面图，其中，在一些实施例中，连接器或接触件耦合至接触焊盘。

图15至图21是根据本发明的一些实施例的示出形成接触焊盘的方法的处于制造的各个阶段的半导体器件的截面图。

图22是根据本发明的一些实施例的示出制造半导体器件的方法的流程图。

具体实施方式

以下公开内容提供了许多用于实现所提供主题的不同特征的不同实施例或实例。下面描述了组件和布置的具体实例以简化本发明。当然，这些仅仅是实例，而不旨在限制本发明。例如，以下描述中，在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接触形成的实施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之间可以形成额外的部件，从而使得第一部件和第二部件可以不直接接触的实例。此外，本发明可在各个实施例中重复参考标号和/或字符。该重复是为了简单和清楚的目的，并且其本身不指示所讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。

而且，为便于描述，在此可以使用诸如“在…之下”、“在…下方”、“下部”、“在…之上”、“上部”等空间相对术语，以描述如图所示的一个元件或部件与另一个(或另一些)原件或部件的关系。除了图中所示的方位外，空间相对术语旨在包括器件在使用或操作中的不同方位。装置可以以其他方式定向(旋转90度或在其他方位上)，而本文使用的空间相对描述符可以同样地作出相应的解释。

本发明公开了半导体器件及其制造方法。在半导体器件的接触焊盘上方形成钝化材料，这有利地防止或减少了接触焊盘的侵蚀，并且保持了接触焊盘的粘合性。钝化材料应足够薄，使得可以制成穿过钝化材料至接触焊盘的电连接。公开了利用接触焊盘(可以用于将一个衬底附接至另一衬底的目的)的一些实施例，其中，该衬底可以包括管芯、印刷电路板(PCB)、封装衬底等，从而允许管芯至管芯、管芯至PCB、管芯至衬底、管芯至封装衬底等类型的电连接。贯穿各个视图和示出的实施例，相同的参考标号用于指定相同的元件。