[发明专利]半导体器件的制造方法及衬底处理装置

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，具有：

通过交替地多次进行对衬底供给包含构成待形成的膜的主元素的、卤系的第一处理气体的工序、和对所述衬底供给非卤系的第二处理气体的工序，从而在所述衬底上形成晶种层的工序，和

对所述衬底供给包含所述主元素的第三处理气体从而在所述晶种层上形成包含所述主元素的膜的工序，

将供给所述第一处理气体的工序中的所述衬底存在的空间的压力设为400Pa以上1000Pa以下，

将供给所述第二处理气体的工序中的所述衬底存在的空间的压力设为250Pa以上350Pa以下，

将供给所述第一处理气体的工序中的所述衬底的温度和供给所述第二处理气体的工序中的所述衬底的温度分别设为350℃以上且450℃以下。

2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，使供给所述第二处理气体的工序中的所述衬底存在的空间的压力大于供给所述第三处理气体的工序中的所述衬底存在的空间的压力。

3.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，将供给所述第三处理气体的工序中的所述衬底存在的空间的压力设为30Pa以上200Pa以下。

4.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，所述第二处理气体的热分解温度低于第三处理气体的热分解温度。

5.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，在形成所述晶种层的工序中，将所述衬底的温度设为第一温度，

在形成所述膜的工序中，将所述衬底的温度设为与所述第一温度同等或比所述第一温度高的第二温度。

6.如权利要求5所述的半导体器件的制造方法，所述第一温度为所述第二处理气体发生热分解的温度，所述第二温度为所述第三处理气体发生热分解的温度。

7.如权利要求5所述的半导体器件的制造方法，所述第一温度为所述第一处理气体及所述第三处理气体不发生热分解、而所述第二处理气体发生热分解的温度，所述第二温度为所述第二处理气体和所述第三处理气体的两方均发生热分解的温度。

8.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，所述第一处理气体、所述第二处理气体和所述第三处理气体分别包含构成所述膜的主元素。

9.如权利要求8所述的半导体器件的制造方法，所述主元素包含硅。

10.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，所述第一处理气体包含氯硅烷化合物，所述第二处理气体包含氢化硅化合物，所述第三处理气体包含氢化硅化合物。

11.如权利要求10所述的半导体器件的制造方法，所述第二处理气体包含比所述第三处理气体更高级的氢化硅化合物，所述第三处理气体包含比所述第二处理气体更低级的氢化硅化合物。

12.权利要求1所述的半导体器件的制造方法，所述第二处理气体具有与第三处理气体不同的分子结构。

13.一种衬底处理装置，具有：

收容衬底的处理室，

第一供给系统，对所述处理室内的衬底供给包含构成待形成的膜的主元素的、卤系的第一处理气体，

第二供给系统，对所述处理室内的衬底供给非卤系的第二处理气体，

第三供给系统，对所述处理室内的衬底供给包含所述主元素的第三处理气体，

压力调节部，调节所述处理室内的压力，

加热器，其对所述处理室内的衬底进行加热，和

控制部，以如下方式控制所述第一供给系统、所述第二供给系统、所述第三供给系统、所述压力调节部及所述加热器，所述方式为，在所述处理室内，进行：通过交替地多次进行对衬底供给所述第一处理气体的处理和对所述衬底供给所述第二处理气体的处理，从而在所述衬底上形成晶种层的处理；和对所述衬底供给所述第三处理气体从而在所述晶种层上形成包含所述主元素的膜的处理；并且将供给所述第一处理气体的处理中的所述衬底存在的空间的压力设为400Pa以上1000Pa以下，将供给所述第二处理气体的处理中的所述衬底存在的空间的压力设为250Pa以上350Pa以下，将供给所述第一处理气体的处理中的所述衬底的温度和供给所述第二处理气体的处理中的所述衬底的温度分别设为350℃以上且450℃以下。