[发明专利]晶体振荡器及其生产方法

说明书

技术领域

本发明涉及电子元器件技术领域，尤其涉及一种晶体振荡器及其生产方法。

背景技术

现有的晶体振荡器主要由带腔体的陶瓷基座、晶片、补偿电路和金属盖组成；在陶瓷基座内有晶片焊接区和补偿电路焊接区，补偿电路一般通过倒装工艺和陶瓷基座连接，晶片和陶瓷基座则是通过在晶片焊接区点银胶的方式连接。

该结构有如下几点不足：

1)该结构的补偿电路与晶片之间存在空隙，属于辐射传热，传热速度较慢；而补偿电路则与陶瓷基座直接接触，是接触传热，传热速度较快。因此，补偿电路与晶片的感温速度不一致，从而使补偿电路输出的温度补偿数据与晶片的温度数据不一致，使温度补偿存在误差，最终导致温度补偿精度下降。

2)晶片只有一端的两个电极通过点银胶的方式与陶瓷基座相连，另一端悬空，其抗震性差。

3)该结构的补偿电路需要通过倒装工艺最先被装配到陶瓷基座内，对于装配过程中产生的不良产品无法识别，只有在整个晶体振荡器全部封装好后，最后检测过程中才可识别。

发明内容

本发明的一个目的在于：提供一种晶体振荡器，其可以有效解决由于晶片和补偿电路的感温速度不一致而导致温度补偿精度不高的问题。

本发明的另一个目的在于：提供一种晶体振荡器的生产方法，可以生产出晶片和补偿电路的感温速度一致、温度补偿精度高的晶体振荡器。

为达此目的，本发明采用以下技术方案：

一方面，提供一种晶体振荡器，包括补偿电路、晶片和基座，还包括封装腔体，所述晶片设置在所述封装腔体内；所述封装腔体的下表面与所述基座贴合，所述封装腔体的上表面与所述补偿电路贴合；所述晶片与所述基座电气连接；所述补偿电路与所述基座电气连接。

具体地，目前的晶体振荡器的晶片一端与基座连接，另一端悬空。悬空结构的晶片不仅温度难以与补偿电路一致，而且容易在震动过程中发生折断。而本发明的基座、晶片和补偿电路通过直接接触传热，温度可快速趋于一致，从而使补偿电路输出的补偿数据更精确，达到更高的补偿精度。进一步地，把晶片先封装在封装腔体内，无悬空结构，封装腔体与底面直接接触连接，晶片的抗震性得到充分提高。

作为一种优选的实施方式，所述封装腔体的上表面设有第一电气连接部，所述第一电气连接部与所述基座通过键合线电气连接；所述第一电气连接部还与所述晶片电气连接。

作为一种优选的实施方式，所述补偿电路上设有第二电气连接部，所述第二电气连接部位于所述补偿电路远离所述封装腔体的一侧，与所述基座通过键合线电气连接。

具体地，把补偿电路远离第二电气连接部的一侧固定在封装腔体的上表面，补偿电路上设有第二电气连接部的一侧露在外面，通过键合线与基座实现电气连接，电气连接的可靠性可以被直接检测，在本工序就可以直接识别出不良产品。

作为一种优选的实施方式，所述封装腔体的材料为陶瓷。

具体地，当封装腔体的材料为陶瓷时，既可以实现高效传热，又可以防止内部元器件短路。

作为一种优选的实施方式，还包括上盖，所述基座的中部设有第一凹槽，所述上盖的下表面与所述第一凹槽的槽底贴合。

进一步地，所述第一凹槽的槽底还设有第二凹槽，所述第二凹槽的开口面积小于所述第一凹槽的开口面积，所述封装腔体和补偿电路设置在所述第二凹槽中。

另一方面，提供一种晶体振荡器的生产方法，包括：

S10：用封装腔体将晶片进行封装；

S20：将所述封装腔体的下表面与基座进行连接；

S30：将补偿电路与所述封装腔体进行连接；

S40：通过键合线将晶片与基座电气连接；通过键合线将补偿电路与基座电气连接；

S50：将上盖与基座连接，完成封装。

进一步地，所述S20具体为：通过点胶的方式将所述封装腔体的下表面与基座进行连接。

进一步地，所述S30具体为：将补偿电路上远离其第二电气连接部的一侧与封装腔体的上表面进行连接。

优选地，通过点胶的方式将补偿电路上远离其第二电气连接部的一侧与封装腔体的上表面进行连接。

作为一种优选的实施方式，所述S40和S50之间还包括：

S41：对晶片与基座之间的电气连接和补偿电路与基座之间的电气连接进行检测。

具体地，把补偿电路远离第二电气连接部的一侧固定在封装腔体的上表面，补偿电路上设有第二电气连接部的一侧露在外面，通过键合线与基座实现电气连接，电气连接的可靠性可以被直接检测，在本工序就可以直接识别出不良产品。