[发明专利]翘曲晶圆的吸附方法及使用该吸附方法的装置

说明书

本发明公开了一种翘曲晶圆的吸附方法及使用该吸附方法的装置，属于半导体技术领域，为解决现有翘曲晶圆无法进行吸附的问题而设计。本发明翘曲晶圆的吸附方法是使用正常晶圆在吸盘上形成吸附正常的状态，再使用翘曲晶圆替换正常晶圆，水平调整和/或旋转调整翘曲晶圆在吸盘上的位置直至翘曲晶圆被吸附在吸盘上。本发明装置包括连接至真空系统的吸盘，吸盘上设置有多个吸孔；真空系统上设置有控制开关。本发明翘曲晶圆的吸附方法尽可能地不因翘曲而废弃晶圆，让尽可能多的晶圆能成功地切割成芯片，提高成品率，降低成本。本发明装置能使用上述吸附方法来光刻翘曲晶圆，避免这些晶圆被废弃掉，光刻效果良好。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种翘曲晶圆的吸附方法以及使用该吸附方法的装置。

背景技术

在半导体制造过程中，在经历了多道工艺制程之后晶圆上不可避免地会积累大量的应力，导致晶圆局部或全部地翘曲变形，当应力超过晶圆所能承受的限度时甚至会导致晶圆碎裂。

曝光工艺需要将晶圆放置于吸盘上、通过吸盘上的真空吸孔进行吸附固定，然后对晶圆进行光刻。吸盘上通常设置有多个吸孔以便于更好地固定晶圆，当晶圆平整或只有轻微的翘曲变形时，吸盘能吸附晶圆且能降低晶圆的翘曲度；但当晶圆变形严重时吸盘与晶圆之间会产生真空泄露，导致晶圆无法被吸附，从而发生拒片，大大影响了产率。

发明内容

本发明的一个目的在于提出一种提高成品率、降低成本的翘曲晶圆的吸附方法。

本发明的另一个目的在于提出一种尽可能避免晶圆因翘曲而被废弃的装置。

为达此目的，一方面，本发明采用以下技术方案：

一种翘曲晶圆的吸附方法，所述吸附方法是使用正常晶圆在吸盘上形成吸附正常的状态，再使用翘曲晶圆替换所述正常晶圆，水平调整和/或旋转调整所述翘曲晶圆在所述吸盘上的位置直至所述翘曲晶圆被吸附在所述吸盘上。

特别是，所述吸附方法包括下述步骤：

步骤1、将一片所述正常晶圆送至所述吸盘上，开启真空系统，所述真空系统判定所述吸盘的吸附状态正常；

步骤2、在得到所述真空系统发出的吸附状态正常信号后关闭所述真空系统，取下所述正常晶圆；

步骤3、将所述翘曲晶圆放置在所述吸盘上；

步骤4、开启真空系统，水平调整和/或旋转调整所述翘曲晶圆在所述吸盘上的位置直至所述翘曲晶圆被吸附在所述吸盘上。

进一步，在步骤1之前还包括下述步骤：

步骤A、对全部晶圆进行正常操作，将其中放置在所述吸盘上被真空系统判定为吸附异常的晶圆归类为翘曲晶圆；

步骤B、将全部所述翘曲晶圆单独放置，等待第二次操作。

特别是，使用手动或机械方式实现所述翘曲晶圆的水平调整和/或旋转调整。

特别是，在水平调整和/或旋转调整所述翘曲晶圆达到一定程度或一定时间后仍然不能实现所述翘曲晶圆被吸附在所述吸盘上时，将所述翘曲晶圆恢复至最初位置，然后按压所述翘曲晶圆的边缘使其被吸附在所述吸盘上。

进一步，按压所述翘曲晶圆包括下述步骤：

步骤61、按压所述翘曲晶圆的任一侧边缘，令其吸附在所述吸盘上；

步骤62、按压所述翘曲晶圆上关于圆心对称的另一侧边缘，令其吸附在所述吸盘上；

步骤63、检查所述翘曲晶圆是否全部被吸附在所述吸盘上，是则转至步骤65；否则转至步骤64；

步骤64、依次按压所述翘曲晶圆上仍然翘曲的部分，直至所述翘曲晶圆全部被吸附在所述吸盘上；