[发明专利]一种原子气室碱金属位置调整装置有效
申请号: | 201611177714.5 | 申请日: | 2016-12-19 |
公开(公告)号: | CN106767748B | 公开(公告)日: | 2019-07-23 |
发明(设计)人: | 周斌权;房建成;彭金鹏;郝杰鹏;雷冠群;胡朝晖;全伟 | 申请(专利权)人: | 北京航空航天大学 |
主分类号: | G01C19/60 | 分类号: | G01C19/60 |
代理公司: | 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 | 代理人: | 杨学明;顾炜 |
地址: | 100191*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 原子气室 导热硅胶 碱金属 模具 加热片 位置调整装置 温度传感器 惰性气体原子 待处理气室 磁场测量 惯性测量 隔热片 原子钟 核子 弛豫 夹持 减小 气室 四极 通光 尾管 汇聚 分裂 应用 | ||
1.一种原子气室碱金属位置调整装置,其特征在于:包括加热片(1)、上部导热硅胶模具(2)、原子气室(3)、下部导热硅胶模具(4)、TEC制冷片(5)、用于加热片PID控制的温度传感器(6)、隔热片(7)、用于TEC制冷片PID控制的温度传感器(8)、加热片(1)的PID温度控制系统和TEC制冷片(5)的PID温度控制系统;其中,TEC制冷片(5)位于整个装置的最下方,在其上方放置下部导热硅胶模具(4),并在该模具上表面铺一层隔热片(7);下部导热硅胶模具(4)和隔热片(7)中间挖有凹槽,凹槽大小与气室尾管大小相同;偏离下部导热硅胶模具中间的位置还挖有小孔,放置用于TEC制冷片PID控制的温度传感器(8);原子气室(3)的腔体部分在隔热片(7)的上方,原子气室(3)尾管向下放置,尾管部分放置在凹槽中;上部导热硅胶模具(2)中间留有与原子气室(3)腔体部分尺寸相同的凹槽,将原子气室(3)腔体部分嵌入该凹槽中,上部导热硅胶模具(2)的下表面与隔热片(7)相互贴紧;上部导热硅胶模具(2)偏离中心的位置也挖有小孔,放置了用于加热片PID控制的温度传感器(6);将五片加热片(1)分别贴在上部导热硅胶模具(2)的前面,后面,左面,右面和上面。
2.如权利要求1所述的原子气室碱金属位置调整装置,其特征在于:所述TEC制冷片(5)在通电之后,由于珀尔帖效应将TEC制冷片(5)的上表面热量传递到TEC制冷片(5)的下表面,从而使上表面温度低于室温;TEC制冷片(5)的上表面与下部导热硅胶模具(4)直接接触,从而使原子气室(3)尾管部分的温度降低,加大了原子气室的上下部分的温差。
3.如权利要求1所述的原子气室碱金属位置调整装置,其特征在于:加热片(1)和TEC制冷片(5)都采用了PID温度控制;用于加热片PID控制的温度传感器(6)为PT100热敏电阻,连接到加热片(1)的PID温度控制器作为输入,PID温度控制器的输出信号传给一个SSR固态继电器,控制加热片(1)供电的通断,从而将原子气室(3)腔体部分的温度稳定在加热片(1)的PID温度控制系统设定的温度上。
4.采用权利要求1所述的原子气室碱金属位置调整装置,实现碱金属位置调整的方法,其特征在于:包括以下步骤:
步骤1)、设备组装,按照自下而上的顺序,将设备的各个部件组装起来;
步骤2)、将隔热片(7)放置在下部导热硅胶模具(4)上面,将原子气室(3)尾部安装在下部导热硅胶模具(4)中间,将上部导热硅胶模具(2)盖在原子气室(3)上面,将上部导热硅胶模具(2)向下压紧;
步骤3)、设定PID温度,加热片(1)的PID温度控制系统和TEC制冷片(5)的PID温度控制系统分别设定好相应的温度值;
步骤4)、设备工作,打开加热片及TEC制冷片的供电电源,加热片(1)、TEC制冷片(5)在各自的PID温度控制系统的控制下,开始工作;上部加热,下部制冷;
步骤5)、关闭电源,使设备停止工作;
步骤6)、取出气室;待温度降至室温后,取出原子气室。
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