[发明专利]黑白CMOS图像传感器及提高其感光度的制造方法

权利要求书

1.一种黑白CMOS图像传感器，其特征在于，包括硅衬底(1)、氧化层(2)、光刻胶层(3)、以及若干氮氧化硅单元(41)；

所述硅衬底(1)上形成有感光有效区(11)，所述氧化层(2)位于硅衬底(1)一侧，且所述氧化层(2)上形成有与所述感光有效区(11)对应的凹陷区(21)，以避让所述感光有效区(11)；

所述光刻胶层(3)覆盖在所述氧化层(2)上，所述光刻胶层(3)上形成有与所述感光有效区(11)位置对应并向下凹陷的阱区(31)，所述阱区(31)与所述凹陷区(21)对应连通，避让所述感光有效区(11)；

所述凹陷区(21)、阱区(31)内设置有所述氮氧化硅单元(41)，所述氮氧化硅单元(41)覆盖在所述感光有效区(11)位置上，向所述阱区(31)外凸起，且向外凸起的表面为弧面。

2.根据权利要求1所述的黑白CMOS图像传感器，其特征在于，所述氮氧化硅单元(41)为向外凸起的半球状。

3.根据权利要求1所述的黑白CMOS图像传感器，其特征在于，所述阱区(31)为蚀刻形成。

4.根据权利要求1至3任一项所述的黑白CMOS图像传感器，其特征在于，所述硅衬底(1)上分布有若干感光有效区(11)，且每一所述感光有效区(11)对应的形成有所述氮氧化硅单元(41)。

5.根据权利要求1至3任一项所述的黑白CMOS图像传感器，其特征在于，所述硅衬底(1)为P型硅衬底。

6.一种提高黑白CMOS图像传感器感光度的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、硅衬底(1)上形成有感光有效区(11)，在所述硅衬底(1)的所述感光有效区(11)所在侧上生长一层氧化层(2)；

S2、在所述氧化层(2)上涂上光刻胶形成光刻胶层(3)，在所述感光有效区(11)对应的区域曝光、显影，在所述光刻胶层(3)上形成与所述感光有效区(11)位置对应向下凹陷的阱区(31)；

S3、在与所述阱区(31)对应的氧化层(2)进行蚀刻形成凹陷区(21)，所述凹陷区(21)的底部到所述感光有效区(11)；

S4、在所述光刻胶层(3)一侧进行LPCVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition低压力化学气相沉积法)氮氧化硅的生长，形成氮氧化硅层(4)；

S5、对所述氮氧化硅层(4)位于所述感光有效区(11)外的区域曝光，将所述阱区(31)外的高出的部分蚀刻掉；

S6、进行高温退火回流，所述氮氧化硅层(4)在每一所述凹陷区(21)和阱区(31)内形成向所述阱区(31)外凸起的氮氧化硅单元(41)，所述氮氧化硅单元(41)向所述阱区(31)外凸起，且向外凸起的表面为弧面。

7.根据权利要求6所述的提高黑白CMOS图像传感器感光度的制造方法，其特征在于，所述氮氧化硅单元(41)为向外凸起的半球状。

8.根据权利要求6所述的提高黑白CMOS图像传感器感光度的制造方法，其特征在于，所述阱区(31)为蚀刻形成。

9.根据权利要求6所述的提高黑白CMOS图像传感器感光度的制造方法，其特征在于，所述硅衬底(1)为P型硅衬底。