[发明专利]水平栅极环绕纳米线晶体管的底部隔离

权利要求书

1.一种制造半导体装置的方法，包含：

提供具有用于GAA MOSFET的源极区、漏极区和通道区的基板，该基板掺杂p型及n型掺杂物中的一个；

设置蚀刻止挡-电阱层于该基板上方，该蚀刻止挡-电阱层掺杂该p型及该n型掺杂物中的另一个；

设置牺牲层于该蚀刻止挡-电阱层上方，该牺牲层掺杂与该基板相同类型的掺杂物；

设置通道层于该牺牲层上方；

从在该通道区中的该蚀刻止挡-电阱层、该牺牲层及该通道层图案化一鳍片；以及

只选择性蚀刻去掉该鳍片的该牺牲层以从该鳍片的该通道层形成纳米线，同时该鳍片的该蚀刻止挡-电阱层用来作为蚀刻止挡阻障物以防止在该基板中蚀刻出沟槽。

2.根据权利要求1所述的方法，包含：在该蚀刻止挡-电阱层与该基板的共同边界处形成p-n接面及n-p接面中的一个。

3.根据权利要求1所述的方法，包含：在该源极区中的该牺牲层与该蚀刻止挡-电阱层的共同边界处形成p-n接面及n-p接面中的一个。

4.根据权利要求1所述的方法，包含：在该漏极区的该牺牲层与该蚀刻止挡-电阱层的共同边界处形成p-n接面及n-p接面中的一个。

5.根据权利要求1所述的方法，包含：在该源极区及该漏极区中的该牺牲层、该蚀刻止挡-电阱层及该基板的两个共同边界处形成p-n-p接面及n-p-n接面中的一个。

6.根据权利要求1所述的方法，包含：

该蚀刻止挡-电阱层由与该基板及该牺牲层不同的材料构成；以及

该通道层由与该牺牲层不同的材料构成。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，该蚀刻止挡-电阱层与该通道层由相同的材料构成。

8.根据权利要求6所述的方法，其中，该牺牲层与该基板由相同的材料构成。

9.根据权利要求1所述的方法，包含：从该通道层、该牺牲层及该蚀刻止挡-电阱层图案化鳍片形源极区及漏极区。

10.根据权利要求1所述的方法，包含：从该通道层、该牺牲层及该蚀刻止挡-电阱层图案化平面源极区及漏极区。

11.根据权利要求1所述的方法，其中，在该通道区中图案化鳍片的步骤包含：在该通道区中图案化多个鳍片。

12.根据权利要求1所述的方法，包含：

设置多个交替牺牲层及通道层于该蚀刻止挡-电阱层上方；

从在该通道区中的该蚀刻止挡-电阱层、所述牺牲层及所述通道层图案化鳍片；以及

只选择性蚀刻去掉该鳍片的所述牺牲层以从该鳍片的所述通道层形成多条纳米线。

13.根据权利要求1所述的方法，包含：

设置栅极电介质涂层于在该通道区中的该纳米线及该蚀刻止挡-电阱层上方；以及

设置栅极金属于该电介质涂层上方以形成该GAA MOSFET的栅极电极。

14.一种GAA MOSFET，包含：

基板，掺杂n型及p型掺杂物中的一个；

蚀刻止挡-电阱层，设置于该基板上方，该蚀刻止挡-电阱层掺杂该n型及该p型掺杂物中的另一个且由与该基板不同的材料构成；

源极区、漏极区及通道区，设置于该蚀刻止挡-电阱层上方，该通道区有连接于该源极区、该漏极区之间的纳米线通道；

栅极电介质涂层，设置于在该通道区中的该纳米线通道及该蚀刻止挡-电阱层上方；

栅极金属，其设置于在该通道区中的该栅极电介质涂层上方以形成该GAA MOSFET的栅极电极；以及

其中，该蚀刻止挡-电阱层没有任何沟槽在该纳米线通道下面。