[发明专利]一种基于IGBT模块的饱和电压测量电路及方法有效

专利信息
申请号: 201611166089.4 申请日: 2016-12-16
公开(公告)号: CN108205074B 公开(公告)日: 2020-07-10
发明(设计)人: 钱宇力;李伟 申请(专利权)人: 上海新微技术研发中心有限公司
主分类号: G01R19/00 分类号: G01R19/00
代理公司: 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人: 孟金喆;胡彬
地址: 201800 上*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 igbt 模块 饱和 电压 测量 电路 方法
【权利要求书】:

1.一种基于IGBT模块的饱和电压测量电路,其特征在于,包括

恒流源,所述恒流源的一端连接所述IGBT模块的集电极,另一端连接所述IGBT模块的发射极;

第一控制电路,所述第一控制电路的一端连接所述IGBT模块的栅极,另一端连接所述IGBT模块的发射极;

电压检测装置,一端连接所述IGBT模块的集电极,另一端连接所述IGBT模块的发射极,其中连接于所述电压检测装置与所述集电极C、所述发射极E之间连接线的电阻率远远大于所述恒流源与所述集电极C、发射极E之间的连接线的电阻率。

2.根据权利要求1所述的基于IGBT模块的饱和电压测量电路,其特征在于,所述恒流源为电流可调节恒流源。

3.根据权利要求1所述的基于IGBT模块的饱和电压测量电路,其特征在于,所述第一控制电路用以形成一控制所述IGBT模块导通或关断的第一控制信号。

4.根据权利要求1所述的基于IGBT模块的饱和电压测量电路,其特征在于,还包括一第二控制电路,所述第二控制电路包括第一控制电阻、第二控制电阻、比较电路;

所述比较电路的正向端连接所述第一控制电路,反向端连接所述第一控制电阻与第二控制电阻的连接点,输出端连接所述IGBT模块的栅极。

5.根据权利要求4所述的基于IGBT模块的饱和电压测量电路,其特征在于:

所述第一控制电阻连接于所述IGBT模块的集电极与所述连接点之间;

所述第二控制电阻连接于所述IGBT模块的发射极与所述连接点之间。

6.根据权利要求4所述的基于IGBT模块的饱和电压测量电路,其特征在于,

所述第二控制电阻的阻值十倍于所述第一控制电阻的阻值。

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