[发明专利]一种基于IGBT模块的饱和电压测量电路及方法有效
申请号: | 201611166089.4 | 申请日: | 2016-12-16 |
公开(公告)号: | CN108205074B | 公开(公告)日: | 2020-07-10 |
发明(设计)人: | 钱宇力;李伟 | 申请(专利权)人: | 上海新微技术研发中心有限公司 |
主分类号: | G01R19/00 | 分类号: | G01R19/00 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆;胡彬 |
地址: | 201800 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 igbt 模块 饱和 电压 测量 电路 方法 | ||
1.一种基于IGBT模块的饱和电压测量电路,其特征在于,包括
恒流源,所述恒流源的一端连接所述IGBT模块的集电极,另一端连接所述IGBT模块的发射极;
第一控制电路,所述第一控制电路的一端连接所述IGBT模块的栅极,另一端连接所述IGBT模块的发射极;
电压检测装置,一端连接所述IGBT模块的集电极,另一端连接所述IGBT模块的发射极,其中连接于所述电压检测装置与所述集电极C、所述发射极E之间连接线的电阻率远远大于所述恒流源与所述集电极C、发射极E之间的连接线的电阻率。
2.根据权利要求1所述的基于IGBT模块的饱和电压测量电路,其特征在于,所述恒流源为电流可调节恒流源。
3.根据权利要求1所述的基于IGBT模块的饱和电压测量电路,其特征在于,所述第一控制电路用以形成一控制所述IGBT模块导通或关断的第一控制信号。
4.根据权利要求1所述的基于IGBT模块的饱和电压测量电路,其特征在于,还包括一第二控制电路,所述第二控制电路包括第一控制电阻、第二控制电阻、比较电路;
所述比较电路的正向端连接所述第一控制电路,反向端连接所述第一控制电阻与第二控制电阻的连接点,输出端连接所述IGBT模块的栅极。
5.根据权利要求4所述的基于IGBT模块的饱和电压测量电路,其特征在于:
所述第一控制电阻连接于所述IGBT模块的集电极与所述连接点之间;
所述第二控制电阻连接于所述IGBT模块的发射极与所述连接点之间。
6.根据权利要求4所述的基于IGBT模块的饱和电压测量电路,其特征在于,
所述第二控制电阻的阻值十倍于所述第一控制电阻的阻值。
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