[发明专利]一种传声器的制备方法有效

专利信息
申请号: 201611163680.4 申请日: 2016-12-15
公开(公告)号: CN108235217B 公开(公告)日: 2020-09-11
发明(设计)人: 王强 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: H04R31/00 分类号: H04R31/00
代理公司: 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 代理人: 余明伟
地址: 100176 北京市大兴区大*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 传声器 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种传声器的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

提供衬底,在所述衬底表面形成第一氧化硅层,在所述第一氧化硅层内对应于后续要形成第一阻挡结构的位置形成第一开口;

在所述第一氧化硅层表面及所述第一开口内形成第二氧化硅层,所述第二氧化硅层内形成有与所述第一开口相对应的第一凹槽;分别在所述第二氧化硅层内对应于后需要形成振动膜的位置及后需要形成锚点的位置形成第二凹槽及第二开口,所述第二凹槽定义出振动膜内褶皱的形状;

在所述第二氧化硅层表面、所述第一凹槽、所述第二凹槽及所述第二开口内形成振动膜,所述振动膜包括工作区域及锚点,所述锚点位于所述工作区域的四个顶角,且与所述工作区域为一体化结构;所述振动膜内形成有褶皱,且所述褶皱位于所述工作区域内;

在所述振动膜表面形成第三氧化硅层,刻蚀所述第三氧化硅层,在对应于后续要形成第二阻挡结构的位置形成第三开口;

在所述第三氧化硅层表面及所述第三开口内形成第四氧化硅层,所述第四氧化硅层内形成有与所述第三开口相对应的第三凹槽;

在所述第四氧化硅层表面依次形成第五氧化硅层及上电极;

在所述上电极表面及所述第三凹槽内形成具有声孔及第二阻挡结构的支撑板;

背面刻蚀所述衬底,形成贯穿所述衬底的通孔;去除所述第一氧化硅层、所述第二氧化硅层、所述第三氧化硅层、所述第四氧化硅层及所述第五氧化硅层。

2.根据权利要求1所述的传声器的制备方法,其特征在于:在所述第二氧化硅层内对应于后需要形成振动膜的位置形成第二凹槽包括以下步骤:

在所述第二氧化硅层表面涂覆光刻胶;

图形化所述光刻胶,以在所述光刻胶内形成与振动膜内褶皱相对应的通孔;

依据所述图形化的光刻胶刻蚀所述第二氧化硅层,以在所述第二氧化硅层内形成所述第二凹槽。

3.根据权利要求2所述的传声器的制备方法,其特征在于:图形化所述光刻胶之后,刻蚀所述第二氧化硅层之前,还包括采用回流工艺对所述图形化的光刻胶层进行处理的步骤。

4.根据权利要求1所述的传声器的制备方法,其特征在于:在所述第二氧化硅层表面、所述第一凹槽、所述第二凹槽及所述第二开口内形成所述的振动膜包括以下步骤:

在所述第二氧化硅层表面、所述第一凹槽、所述第二凹槽及所述第二开口内沉积第一多晶硅层;

图形化所述第一多晶硅层以形成所述振动膜。

5.根据权利要求1所述的传声器的制备方法,其特征在于:在所述第五氧化硅层表面形成所述上电极包括以下步骤:

在所述第五氧化硅层表面沉积第二多晶硅层;

图形化所述第二多晶硅层以形成所述上电极。

6.根据权利要求1所述的传声器的制备方法,其特征在于,在所述上电极表面及所述第三凹槽内形成具有声孔及第二阻挡结构的支撑板包括以下步骤:

在所述上电极表面、所述衬底表面及所述第三凹槽内沉积氮化硅层;位于所述第三凹槽内的所述氮化硅层形成所述第二阻挡结构;

刻蚀位于所述上电极表面的所述氮化硅层形成声孔。

7.根据权利要求1所述的传声器的制备方法,其特征在于:所述褶皱包括第一褶曲及第二褶曲,所述第二褶曲位于所述第一褶曲与所述锚点之间。

8.根据权利要求7所述的传声器的制备方法,其特征在于:所述第一褶曲的形状为圆形或圆角矩形;所述第二褶曲的形状为弧形或线形。

9.根据权利要求7所述的传声器的制备方法,其特征在于:所述第一褶曲的数量为多个,相邻所述第一褶曲之间的间距相等。

10.根据权利要求7所述的传声器的制备方法,其特征在于:所述第一褶曲的数量为多个,相邻所述第一褶曲之间的间距自所述工作区域中心至外围逐渐减小。

11.根据权利要求7所述的传声器的制备方法,其特征在于:所述第一褶曲及所述第二褶曲纵截面的形状为矩形。

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