[发明专利]晶体封装结构及采用其的晶体振荡器

说明书

技术领域

本发明涉及电子元器件技术领域，尤其涉及一种晶体封装结构及采用其的晶体振荡器。

背景技术

晶体振荡器的封装结构主要由上盖和底板组成，为了保证晶体振荡器的气密性，如图1所示，上盖1的上部在与底板2平行的方向上的横截面积比底板2的面积小；上盖1的下端向底板2的边沿弯折，且与底板2的边沿平齐。

这样设计的晶体振荡器，由于上盖1的上部在与底板2平行的方向上的横截面积比底板2的面积小，所以上盖1的上部空间较小，晶体振荡器的内部器件与上盖1短路的风险较大。

发明内容

本发明的一个目的在于：提供一种晶体封装结构，能增大封装结构的内部空间，降低晶体振荡器的内部器件与上盖短路的风险。

本发明的另一个目的在于：提供一种晶体振荡器，能增大封装结构的内部空间，降低晶体振荡器的内部器件与上盖短路的风险。

为达以上目的，本发明采用以下技术方案：

一种晶体封装结构，包括上盖和底板，所述上盖的下端与所述底板的上表面连接；所述上盖靠近所述底板的一端设有开口；在与所述底板平行的方向上，所述上盖远离所述底板的一端的横截面积大于所述上盖靠近所述底板的一端的横截面积。

具体地，对所述上盖的开口进行缩口处理，使上盖的开口面积小于底板的上表面的面积，方便上盖与底板之间进行连接。同时设置上盖的上部的横截面积大于上盖的下部的横截面积，就可以保证上盖的上部的内部空间大于上盖的下部的内部空间。进而增大晶体封装结构的内部空间，尤其是增大晶体封装结构的上部的内部空间。当将晶体振荡器的内部器件安置在晶体封装结构的上部时，增大晶体振荡器的内部器件与上盖的距离，降低晶体振荡器的内部器件与上盖短路的风险。

作为一种优选的实施方式，所述上盖远离所述底板的一端的横截面积等于所述底板的上表面的面积。

具体地，使所述上盖远离所述底板的一端的横截面积等于所述底板的上表面的面积，可以保证在不扩大原来的晶体封装结构的整体体积的情况下，增大晶体封装结构的内部空间，尤其是增大晶体封装结构的上部的内部空间。

作为一种优选的实施方式，所述上盖在与所述底板平行的方向上的横截面积从远离所述底板到靠近所述底板逐渐减小。

具体地，使所述上盖在与所述底板平行的方向上的横截面积从远离所述底板到靠近所述底板逐渐减小，减小加工难度，减低生产成本。

优选地，所述上盖的上部在与所述底板平行的方向上的横截面积不变且大于上盖的下部在与所述底板平行的方向上的横截面积。

作为一种优选的实施方式，所述上盖在与所述底板平行的方向上靠近所述底板的一端的横截面积为远离所述底板的一端的横截面积的87.8％～93.8％。

具体地，经过多次实验证明，在与所述底板平行的方向上，当上盖的底部的横截面积为上盖的顶部的横截面积的87.8％～93.8％时，上盖的上部空间利用率较大，且能保证上盖的下端开口不会太小以至于使晶体难以进入上盖的内部空腔。

进一步地，所述上盖在与所述底板平行的方向上靠近所述底板的一端的横截面积为远离所述底板的一端的横截面积的91.8％。

具体地，经过多次实验证明，在与所述底板平行的方向上，当上盖的底部的横截面积为上盖的顶部的横截面积的91.8％时，上盖的上部空间利用率最大，且结构性能稳定，材料的有效利用率最高。

作为一种优选的实施方式，所述底板的上表面设有第一凹槽，所述上盖的底部插入所述第一凹槽。

具体地，通过把上盖的底部插入第一凹槽中，然后使上盖和底板进行粘合，其气密性较好，不易泄漏。

进一步地，所述底板的上表面设有第一凸台和第二凸台，所述第二凸台位于所述第一凸台远离所述底板的边沿的一侧；

所述第一凸台与所述第二凸台之间形成所述第一凹槽。

进一步地，所述第二凸台的中部设有第二凹槽。

具体地，在所述第二凸台的中部设置第二凹槽，会增大底板与晶体振荡器的内部器件之间的距离，降低晶体振荡器的内部器件与底板短路的风险。

一种晶体振荡器，包括石英晶体和任一上述实施方式中的晶体封装结构，所述石英晶体设置在所述晶体封装结构的内部。

具体地，当将晶体振荡器的内部器件安置在晶体封装结构的上部时，晶体振荡器的内部器件与上盖的距离较大，晶体振荡器的内部器件与上盖短路的风险降低。

作为一种优选的实施方式，所述底板的底部设有绝缘部。